具备混合金属阳极的N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD及制备方法技术

技术编号：45824375 阅读：11 留言：0更新日期：2025-07-15 22:33

本发明专利技术公开了一种具备混合金属阳极的N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD及制备方法，包括：衬底层，依次位于衬底层上的非故意掺杂N极性GaN缓冲层、Si掺杂N极性AlGaN势垒层、非故意掺杂N极性AlGaN势垒层、非故意掺杂N极性GaN沟道层；阴极位于N极性GaN沟道层上，且呈圆环形结构；钝化层位于阴极和剩余的N极性GaN沟道层上；混合阳极贯穿圆环形结构的中心区域的钝化层，直至N极性GaN沟道层的上表面；混合阳极包括高功函数金属和若干间隔分布的低功函数金属；每个低功函数金属位于N极性GaN沟道层上；高功函数金属位于N极性GaN沟道层、所有低功函数金属和部分钝化层上。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种具备混合金属阳极的n极性gan_algan异质结横向sbd及制备方法。

技术介绍

1、现有的整流二极管和功率器件大多数依赖于硅(si)基材料。然而，随着现代电子器件对功率密度、效率和小型化要求的不断提升，传统的si基材料已经逐渐接近其本征材料特性的极限，导致其在高效能、紧凑型和高功率密度需求下的局限性日益显现。相较于传统的si基材料，gan基半导体材料因其较大的禁带宽度、高电子饱和速度、优异的导热性能、卓越的耐高温高压特性以及出色的耐腐蚀能力，在大功率、高频和高温电子器件及光电器件的制造中展现出显著的优势。此外，gan的优异热导性、温度稳定性及抗腐蚀能力，使其在极端工况下的可靠性显著优于硅材料。因此，gan器件被广泛认为是高频、大功率以及高效能应用的理想选择，尤其适用于射频功率放大器、电动汽车电源、太阳能逆变器及5g通信基站等领域。

2、近年来，基于n极性gan/algan异质结的器件，凭借低接触电阻、强二维电子气(2deg)限域性、优良的栅控能力及高频响应等特点，得到了迅速发展，并在学...

【技术保护点】

1.一种具备混合金属阳极的N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD，其特征在于，所述N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD包括：

2.根据权利要求1所述的具备混合金属阳极的N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD，其特征在于，所述非故意掺杂N极性GaN缓冲层的厚度为300nm～600nm。

3.根据权利要求1所述的具备混合金属阳极的N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD，其特征在于，所述Si掺杂N极性AlGaN势垒层的厚度为20nm～50nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～8×1018cm-3，Al组分范围为0.2～0.35。