碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法，通过对该碳化硅晶圆进行加热，使碳化硅材料本身形成氧化层来作为栅极，其特征在于，所述碳化硅晶圆具有待形成栅极氧化层的正面和与正面相反的背面，在所述背面的至少一部分形成有膜层。采用本发明专利技术的碳化硅晶圆，能够显著提高碳化硅晶圆的栅极氧化工艺的一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产制造领域，具体涉及一种碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法，其能够提高碳化硅晶圆的氧化工艺的一致性，属于电子工业和半导体产品生产加工行业。

技术介绍

1、随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅(silicon carbide，sic)作为一种宽禁带半导体材料，因其卓越的物理化学性质，如高击穿场强、高热导率、高饱和漂移速度等，在高频、高压、高温等极端条件下展现出传统硅基器件无法比拟的优势，逐渐成为新一代电力电子器件的首选材料。其中，sic金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet)因其优良的开关性能和耐压能力，成为研究热点之一。

2、然而，sic mosfet的核心——栅极氧化层的质量直接影响到器件的可靠性和性能。众所周知，对于sic mosfet来说，其栅极氧化层通常都是由高温氧化sic材料本身形成一层氧化层做为器件的栅极，以此来保证栅极的质量。但是由于sic材料具有较高的熔点和较低的表面迁移率，其在高温下氧化时速率特别缓慢，且由于碳化硅材料的特殊特性，碳化硅晶圆在高温氧化生长时受到片间的影响会存在严重的工艺一致性较差的现象本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶圆，通过对该碳化硅晶圆进行加热，使碳化硅材料本身形成氧化层来作为栅极，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆，其特征在于，

5.一种碳化硅晶圆的氧化方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆的氧化方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆的氧化方法，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆的氧化方法，其特征在于，

9.根据权利要求5所述的...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶圆，通过对该碳化硅晶圆进行加热，使碳化硅材料本身形成氧化层来作为栅极，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆，其特征在于，

5.一种碳化硅晶圆的氧化方法，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：林秀岩，曹力力，陈伟，张永熙，袁志巧，
申请(专利权)人：浙江瞻芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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