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本发明提供一种碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法，通过对该碳化硅晶圆进行加热，使碳化硅材料本身形成氧化层来作为栅极，其特征在于，所述碳化硅晶圆具有待形成栅极氧化层的正面和与正面相反的背面，在所述背面的至少一部分形成有膜层。采用本发明的碳化硅晶...
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