一种适配于大电流芯片的SMD陶瓷封装管壳制造技术

本技术是通过如下的技术方案来实现：一种适配于大电流芯片的SMD陶瓷封装管壳，包括陶瓷件，所述陶瓷件两侧均设置有金属化区域，所述陶瓷件一侧的金属化区域上焊接有围框与上电极板，所述陶瓷件另一侧的金属化区域上焊接有热沉与下电极板，且上电极板与下电极板之间通过贯穿陶瓷件的连接导电柱相连。本技术通过将上电极板及围框与下电极板及热沉分别焊接在陶瓷件两侧，避免了传统结构中，陶瓷件与电极焊接对键合区域的限制，同时通过将电极状态从凸台或金属浆通孔导通改为连接导电柱连接，减小了电阻，增加了过电流能力，可以承受3000V的介质耐压测试，并可以满足连续电流最大118A，脉冲电流400A的需求，进而适配于大电流芯片。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及smd陶瓷封装，具体为一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳。

技术介绍

1、smd陶瓷封装属于气密性封装的一类，是高可靠度需求的主要封装技术之一，其主要的材料包括氧化铝，氧化铍及氮化铝等，此类陶瓷管壳以htcc或ltcc陶瓷作为电路基板，内置金属化通孔或侧面金属化导通，再利用金属零件实现隔离、气密和散热功能。

2、现有的smd陶瓷管壳一般由瓷件、封口环、热沉、电极构成，其中电极多用凸台形状直接钎焊在底部或者瓷件内部用金属浆做填孔，上下焊接电极板做导通，但这两种方案都不能满足高压大电流芯片封的使用场景，在连续大电流的冲击下，会出现明显的漏电增大或打火现象，导致封装失效。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳。

2、为了实现上述目的，本技术是技术方案如下：

3、一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳，包括陶瓷件，所述陶瓷件两侧均设置有金属化区域，所述陶瓷件一侧的金属化区域上焊接有围框与上电极板，所述陶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适配于大电流芯片的SMD陶瓷封装管壳，其特征在于：包括陶瓷件(2)，所述陶瓷件(2)两侧均设置有金属化区域，所述陶瓷件(2)一侧的金属化区域上焊接有围框(1)与上电极板(5)，所述陶瓷件(2)另一侧的金属化区域上焊接有热沉(3)与下电极板(4)，且上电极板(5)与下电极板(4)之间通过贯穿陶瓷件(2)的连接导电柱(6)相连。

2.根据权利要求1所述的一种适配于大电流芯片的SMD陶瓷封装管壳，其特征在于：所述陶瓷件(2)金属化区域设置为钨浆表面镀镍，且镍层的厚度设置为0.6～2.0um。

3.根据权利要求1所述的一种适配于大电流芯片的SMD陶瓷封装管壳，其特...

【技术特征摘要】

1.一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳，其特征在于：包括陶瓷件(2)，所述陶瓷件(2)两侧均设置有金属化区域，所述陶瓷件(2)一侧的金属化区域上焊接有围框(1)与上电极板(5)，所述陶瓷件(2)另一侧的金属化区域上焊接有热沉(3)与下电极板(4)，且上电极板(5)与下电极板(4)之间通过贯穿陶瓷件(2)的连接导电柱(6)相连。

2.根据权利要求1所述的一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳，其特征在于：所述陶瓷件(2)金属化区域设置为钨浆表面镀镍，且镍层的厚度设置为0.6～2.0um。

3.根据权利要求1所述的一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳，其特征在于：所述连接导电柱(6)设置为铜柱，且连接导电柱(6)具体设置为tu1制成的铜柱。

4.根据权利要求3所述的一种适配于大电流芯片的smd陶瓷封装管壳，其特征在于：所述陶瓷件(2)容纳连接导电柱(6)的孔洞和连接导电柱(6)的直径公差不大于0.04mm。

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘阿敏，严勇飞，王子豪，徐诺，
申请(专利权)人：六安鸿安信电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：