【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体的辐射效应，更具体地说，它涉及基于多软件协同的双极型器件γ辐照损伤模拟与评估系统。
技术介绍
1、双极型器件因其在电路中能够同时处理电流和电压的特性，在多个高科技领域中扮演着重要角色。特别是在航空航天领域，这些器件需要在极端的辐射环境中保持稳定工作，以确保飞行任务的成功。在核医学领域，双极型器件用于医疗成像和治疗设备，这些设备同样需要在辐射环境中可靠运行。低剂量率γ辐照是指辐射剂量较低但持续时间较长的辐射类型。这种辐射在空间环境中尤为常见，例如地球大气层外的宇宙射线和太阳风。在核反应堆和某些医疗设备中，低剂量率γ辐照也是不可避免的。研究表明，双极型器件在这种低剂量率γ辐照下会出现损伤增强效应（eldrs），即器件的性能退化速度比预期的要快，这对于器件的长期稳定性和可靠性构成了挑战。
2、传统的辐射损伤模型主要基于高剂量率辐照数据，这些数据通常来自于实验室条件下的高剂量率辐射实验。这些模型在预测低剂量率辐照下的长期效应时存在局限性，因为它们没有考虑到低剂量率辐照下的特殊损伤机制。这导致了在实际应用中，这些模...
【技术保护点】
1.基于多软件协同的双极型器件γ辐照损伤模拟与评估系统，其特征是：所述系统包括以下模块：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征是：所述系统还包括模型验证模块，用于通过集成电路辐照下的试验数据与SPICE模型和TCAD建立的辐照下的混合模型参数进行对比，进一步分析集成电路在γ低剂量率辐照下的敏感结点和损伤机理，完善模型。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征是：所述实验参数确定模块中的实验参数包括辐照源、剂量率、总剂量、试验温度、器件的偏置与负载。
4. 根据权利要求1或2所述的基于多软件协同的双极型器件γ辐照损伤模拟与评估系统，其特...
【技术特征摘要】
1.基于多软件协同的双极型器件γ辐照损伤模拟与评估系统，其特征是：所述系统包括以下模块：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征是：所述系统还包括模型验证模块，用于通过集成电路辐照下的试验数据与spice模型和tcad建立的辐照下的混合模型参数进行对比，进一步分析集成电路在γ低剂量率辐照下的敏感结点和损伤机理，完善模型。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征是：所述实验参数确定模块中的实验参数包括辐照源、剂量率、总剂量、试验温度、器件的偏置与负载。
4. 根据权利要求1或2所述的基于多软件协同的双极型器件γ辐照损伤模拟与评估系统，其特征是：所述系统利用geant4模拟粒子与器件材料的相互作用，评估辐照环境下器件的损伤情况；使用sentaurus tcad进行器件级别的仿真，分析辐照对器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹菲，邢嘉彬，刘帅，秦建强，许剑锋，何川，冯晓伟，
申请(专利权)人：中国人民解放军火箭军工程大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。