一种超宽带3dB腔体电桥制造技术

本发明专利技术提供了一种超宽带3dB腔体电桥，属于电桥技术领域。该超宽带3dB腔体电桥包括：腔体；温度传感器，设置于腔体内；内导体，包括设置于腔体内的第一内导体和第二内导体；底部绝缘支撑条，用支撑第一内导体；绝缘支撑组件，用于保持第一内导体与第二内导体的耦合区域之间的间距，绝缘支撑组件包括第一绝缘支撑条和第二绝缘支撑条，第一绝缘支撑条形成有斜面，斜面与第二内导体的底面宽度方向上的边缘抵接，第二绝缘支撑条设有多个不同高度且用于支撑第二内导体底面的凸台，第一绝缘支撑条和第二绝缘支撑条受控地根据温度传感器的测量温度调节各自在第二内导体的宽度方向的位置。本发明专利技术能够在温度变化时保持电桥性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电桥，尤其涉及一种超宽带3db腔体电桥。

技术介绍

1、腔体电桥具有损耗小、功率高、低互调和稳定性高等特点，在微波通信中被广泛应用。在超宽带通信(uwb)中，3db带状线腔体电桥起着关键的功分与匹配作用。采用带状线结构的3db腔体电桥具有天然的宽带特性，相比微带结构，带状线能提供更宽的阻抗匹配范围，因此适用于超宽带系统，能够满足uwb通信和雷达应用对宽频带的需求。带状线结构的导体损耗较低，相比于微带或同轴结构，在高频段下表现更优。腔体屏蔽减少了外部干扰，提高信号完整性，降低了损耗。

2、一些超宽带通信的使用环境存在较大的温度波动，例如室温到85℃的温度变化范围，一般地，会在电桥内设计温度补偿电路或者散热结构来适应这种温度变化。但是现有技术一般关注于电桥内的内导体的补偿，缺少对温度波动对两个耦合内导体之间的间距的影响的研究，而内导体之间的间距会直接影响内导体的特征阻抗和耦合强度，从而影响电桥的性能。

技术实现思路

1、本专利技术的一个目的是提供一种能够在温度变化时保持电桥性能稳定性的超宽带本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超宽带3dB腔体电桥，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超宽带3dB腔体电桥，其特征在于，所述绝缘支撑组件包括用于驱动所述第一绝缘支撑条和所述第二绝缘支撑条移动的驱动机构。

3.根据权利要求2所述的超宽带3dB腔体电桥，其特征在于，所述驱动机构包括分别安装于所述腔体的宽度方向的两侧的第一微分头和第二微分头，所述第一微分头的输出端与所述第一绝缘支撑条相连，所述第二微分头的输出端与所述第二绝缘支撑条相连，所述第一微分头和所述第二微分头的旋拧端露出于所述腔体的外部。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的超宽带3dB腔体电桥，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种超宽带3db腔体电桥，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超宽带3db腔体电桥，其特征在于，所述绝缘支撑组件包括用于驱动所述第一绝缘支撑条和所述第二绝缘支撑条移动的驱动机构。

3.根据权利要求2所述的超宽带3db腔体电桥，其特征在于，所述驱动机构包括分别安装于所述腔体的宽度方向的两侧的第一微分头和第二微分头，所述第一微分头的输出端与所述第一绝缘支撑条相连，所述第二微分头的输出端与所述第二绝缘支撑条相连，所述第一微分头和所述第二微分头的旋拧端露出于所述腔体的外部。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的超宽带3db腔体电桥，其特征在于，所述凸台和所述斜面分别位于所述第二内导体的宽度方向上的两侧。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的超宽带3db腔体电桥，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎金洲，梁昆，徐凯，刘永坤，吴易融，钱禛煜，吴超，吕岑佳，
申请(专利权)人：江苏亨鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：