【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域,尤其涉及一种存储器、制备方法和电子设备。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展,存储器的集成度要求越来越高,性能标准越来越高。现有的半导体结构越来越难以满足发展的需要,因此,需要对存储器的结构进一步优化,以提高集成度。
技术实现思路
1、有鉴于此,本公开实施例提供了一种存储器、制备方法和电子设备,减小了相邻存储块之间的间距,从而,能够减小芯片尺寸,提高集成度,以增加每个晶圆的芯片数量。
2、本公开的技术方案是这样实现的:
3、本公开提供了一种存储器,包括:第一衬底,包括多个存储区域以及环绕多个所述存储区域的虚设区域;其中,多个所述存储区域阵列排布且彼此间隔;所述第一衬底中设置有多个有源区,多个所述有源区遍布多个所述存储区域和所述虚设区域;多个所述有源区均沿第一方向延伸;在所述第一方向上,分别位于所述存储区域和所述虚设区域的任意两个相邻的所述有源区之间的间距,等于所述虚设区域中两个相邻的所述有源区之间的间距;多个存储结构,位于所述第一衬底上,分别与
...【技术保护点】
1.一种存储器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
6.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,
7.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:多个接触垫;其中,
8.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
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...【技术特征摘要】
1.一种存储器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
6.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,
7.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:多个接触垫;其中,
8.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述存储器,还包括:
9.根据权利要求2-8任一项所述的存储器,其特征在于,多条所述位线位于所述第一衬底和所述多个存储...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓放心,朴成,邹文伟,周伟,
申请(专利权)人:长鑫科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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