碳化硅外延晶圆的制造制造技术

一种在晶圆生长系统(1)中制造碳化硅SiC外延晶圆的方法，所述晶圆生长系统(1)包括：外容器、设置在外容器内部的隔热容器、设置在隔热容器内部的生长容器(2)、以及设置在外容器外部以加热生长容器(2)的内部的加热装置。所述方法还包括：在生长容器(2)中提供多晶SiC的源材料(3)；在生长容器(2)中提供基本上平行于源材料(3)的单晶SiC的基板(4)，所述基板(4)的掺杂浓度≤5·10<supgt;16</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;；将生长容器(2)中的温度升高到源材料(3)的升华温度；保持生长容器(2)中的温度，直至在基板(4)上生长出厚度≥10μm且掺杂浓度≥1·10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;的单晶SiC的导电层(6)。基板(4)和生长的导电层(6)一起界定外延晶锭。所述方法还包括将外延晶锭冷却至室温，并且在基本上平行于生长的导电层(6)的平面中穿过基板(4)将外延晶锭切片成剩余基板(8)和外延晶圆，所述外延晶圆包括其上具有生长的导电层(6)的基板层(7)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术总体上涉及碳化硅外延晶圆的制造。

技术介绍

1、半导体材料和装置可以在各种电子装置中找到。一个应用是在功率半导体装置或功率装置中。功率装置具有在能量源和能量消耗者之间转换和/或控制电能的功能。电力设备可以在电网、计算机电源、智能手机中的电源管理和汽车电子设备中找到，仅举几例。

2、碳化硅(sic)是下一代半导体材料，在功率装置行业中越来越受关注。使用sic可以实现更节能的功率装置，具有更低的冷却需求和更高的系统集成密度。然而，仍然需要与sic半导体材料的制造相关的技术方案。

3、sic外延晶圆是通常由两个主要层形成的薄半导体盘，一个层具有高掺杂浓度，一个层具有低掺杂浓度。具有高掺杂浓度的层通常被称为导电层。具有低掺杂浓度的层通常被称为漂移层。

4、漂移层的品质对最终产品的品质至关重要。漂移层的品质由缺陷密度定义。漂移层中的典型缺陷是向下坠落(碳颗粒)、胡萝卜缺陷、三角形堆垛层错、基面位错(bpd)、棒型堆垛层错、螺纹螺丝位错和螺纹边缘位错。

5、在现有技术中，通过在导电层上沉积漂移层来制造sic外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在晶圆生长系统(1)中制造碳化硅SiC外延晶圆的方法，所述晶圆生长系统(1)包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板(4)的掺杂浓度≤1·1016cm-3。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板(4)的厚度≥100μm。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板(4)基本上没有基面位错。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板(4)基本上没有堆垛层错。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电层(6)生长在所述基板(4)的碳面上。

7.如前述权利要求中任一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种在晶圆生长系统(1)中制造碳化硅sic外延晶圆的方法，所述晶圆生长系统(1)包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板(4)的掺杂浓度≤1·1016cm-3。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板(4)的厚度≥100μm。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板(4)基本上没有基面位错。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板(4)基本上没有堆垛层错。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电层(6)生长在所述基板(4)的碳面上。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其还包括重复所述方法至少一次，所述方法还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·埃克曼，
申请(专利权)人：碳化硅I斯德哥尔摩公司，
类型：发明
国别省市：