砷化镓单晶衬底及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种砷化镓单晶衬底，其具有圆形状的主表面，上述主表面的位错密度的平均值为5cm<supgt;‑2</supgt;以上且100cm<supgt;‑2</supgt;以下，在上述主表面上通过将一边为2mm的正方形以相互不重叠地排列最多的方式铺满而形成的假想的格子中，上述正方形内不存在位错的上述正方形的数量相对于构成上述格子的上述正方形的总数的比率为97.0％以上且99.5％以下，上述砷化镓单晶衬底包含硅，上述硅的浓度为1.0×10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以上且5.0×10<supgt;19</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以下，上述砷化镓单晶衬底的载流子浓度为1.0×10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以上且4.0×10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及砷化镓单晶衬底及其制造方法。

技术介绍

1、国际公开第2006/106644号(专利文献1)公开了一种应用于砷化镓单晶衬底(以下，也记为“gaas单晶衬底”)的掺杂有硅(si)的砷化镓单晶锭(以下，也记为“gaas单晶锭”)。该gaas单晶锭的位错密度的平均值为50cm-2以下，在将固化率为0.1的部分的载流子浓度设为c0.1、将固化率为0.8的部分的载流子浓度设为c0.8的情况下，满足c0.8/c0.1<2.0的关系。进而，专利文献1公开了上述gaas单晶锭的载流子浓度为1.0×1017cm-3以上且1.0×1019cm-3以下。国际公开第2021/251349号(专利文献2)公开了一种gaas单晶锭，上述gaas单晶锭的位错密度的平均值为500cm-2以下、si的原子浓度为2.0×1017cm-3以上且1.5×1019cm-3以下，并且载流子浓度为5.5×1017cm-3以下。

2、日本特开2011-148693号公报(专利文献3)和日本特开2011-148694号公报(专利文献4)都公开了掺杂有si的n型gaas单晶衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种砷化镓单晶衬底，其具有圆形状的主表面，

2.根据权利要求1所述的砷化镓单晶衬底，其中，所述主表面的晶面为砷化镓单晶的{100}面或者为具有自所述砷化镓单晶的{100}面起大于0°且3°以下的偏离角的面，

3.根据权利要求1所述的砷化镓单晶衬底，其中，所述砷化镓单晶衬底的直径为70mm以上且210mm以下。

4.根据权利要求2所述的砷化镓单晶衬底，其中，所述砷化镓单晶衬底的直径为70mm以上且210mm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的砷化镓单晶衬底，其中，所述砷化镓单晶衬底包含硼，

6.一种砷化镓单晶衬底的制造...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种砷化镓单晶衬底，其具有圆形状的主表面，

2.根据权利要求1所述的砷化镓单晶衬底，其中，所述主表面的晶面为砷化镓单晶的{100}面或者为具有自所述砷化镓单晶的{100}面起大于0°且3°以下的偏离角的面，

3.根据权利要求1所述的砷化镓单晶衬底，其中，所述砷化镓单晶衬底的直径为70mm以上且210mm以下。

4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎雄一郎，青山浩一郎，森分达也，桥尾克司，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：