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一种在晶圆生长系统(1)中制造碳化硅SiC外延晶圆的方法，所述晶圆生长系统(1)包括：外容器、设置在外容器内部的隔热容器、设置在隔热容器内部的生长容器(2)、以及设置在外容器外部以加热生长容器(2)的内部的加热装置。所述方法还包括：在生长容...
该专利属于碳化硅I斯德哥尔摩公司所有，仅供学习研究参考，未经过碳化硅I斯德哥尔摩公司授权不得商用。

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