离子源栅网结构及其调整方法技术

一种离子源栅网结构及其调整方法，其中调整方法包括：提供栅网结构，所述栅网结构包括屏栅和加速栅，所述屏栅包括若干呈周期排布的第一通孔，所述加速栅包括若干呈周期排布的第二通孔；装机，使所述屏栅和所述加速栅均垂直于第一方向设置，所述屏栅和所述加速栅沿所述第一方向排布，且所述第一通孔和所述第二通孔一一对应，用于使离子束穿过；根据刻蚀工艺需求，对所述栅网结构进行至少一次结构调节，所述结构调节包括栅距调节，所述栅距调节用于控制所述屏栅的中部区和所述加速栅的中部区之间的间距，利于提高栅网结构的稳定性，减少不同刻蚀机台之间的栅网结构之间结构的差异，提高刻蚀工艺产品性能的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种离子源栅网结构及其调整方法。

技术介绍

1、随着半导体器件的发展，晶片图形精度越来越高，逐步发展了一系列干法刻蚀技术，应用比较普遍的有等离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等。其中，离子束刻蚀是能够沿着特定方向优先去除材料的非等向性蚀刻过程。离子束刻蚀作为纯物理刻蚀，对材料无选择性，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。

2、离子源是离子束刻蚀的关键部件，离子源的优劣直接影响刻蚀性能。其中，栅网结构是离子源中用于束流引出及修形的装置，利用石墨或钼等制成网状电极，位于离子源出口的前端，通过改变栅网结构的几何特征、相对位置以及控制栅网上的电势分布，可以将离子由离子源放电室中引出，并使其具有一定的空间浓度及空间分布形状。

3、然而，现有的栅网结构的重复性表现差，对腔室工艺重复性产生很大的挑战性。因此，现有的栅网结构的性能有待进一步改善。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种离子源本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种离子源栅网结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述栅距调节结构包括第一固定装置和若干不同厚度规格的第一定距环，所述第一固定装置可使任一所述第一定距环固定于所述屏栅和所述加速栅之间。

3.如权利要求2所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述第一定距环的厚度范围为1.0毫米至4.2毫米；所述第一定距环暴露出的棱边为倒角结构。

4.如权利要求2所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述第一固定装置包括螺栓和与所述螺栓配合的螺母，所述螺栓包括头部和螺杆，所述螺杆可穿过所述第一通孔、所述第一定距环和所述第二通孔，所述屏栅...

【技术特征摘要】

1.一种离子源栅网结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述栅距调节结构包括第一固定装置和若干不同厚度规格的第一定距环，所述第一固定装置可使任一所述第一定距环固定于所述屏栅和所述加速栅之间。

3.如权利要求2所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述第一定距环的厚度范围为1.0毫米至4.2毫米；所述第一定距环暴露出的棱边为倒角结构。

4.如权利要求2所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述第一固定装置包括螺栓和与所述螺栓配合的螺母，所述螺栓包括头部和螺杆，所述螺杆可穿过所述第一通孔、所述第一定距环和所述第二通孔，所述屏栅、所述加速栅和所述第一定距环可采用所述螺栓和所述螺母紧固。

5.如权利要求4所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述头部的直径大于所述螺杆的直径；所述头部的直径与所述螺杆的直径的比值范围为2至10；

6.如权利要求4所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述头部和所述螺母暴露出的棱边均为倒角结构。

7.如权利要求2所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述栅网结构还包括减速栅，所述减速栅和所述屏栅分别位于所述加速栅两侧，所述减速栅包括若干呈周期排布的第三通孔，在装机之后，所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔相互之间一一对应；所述栅距调节结构还包括若干不同厚度规格的第二定距环，所述第一固定装置还可使任一所述第二定距环固定于所述加速栅的中部区和所述减速栅的中部区之间。

8.如权利要求7所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述第二定距环的厚度范围为1.0毫米至4.2毫米；所述第二定距环暴露出的棱边为倒角结构。

9.如权利要求1所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述结构还包括：遮挡结构，所述遮挡结构可拆卸和固定于所述第一通孔或所述第二通孔，并对部分所述第一通孔或所述第二通孔进行遮挡。

10.如权利要求9所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述遮挡结构包括遮挡层、与所述遮挡层固接的第二固定装置，所述遮挡层的尺寸大于单个所述第一通孔或所述第二通孔的尺寸；所述遮挡层通过所述固定装置安装到所述屏栅或所述加速栅表面。

11.如权利要求10所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述第二固定装置包括若干个子母扣结构，各所述子母扣结构包括垂直于所述遮挡层表面且与所述遮挡层固接的母扣、以及与所述母扣配合的子扣；各所述母扣可穿过所述第一通孔使所述遮挡层安装到所述屏栅表面，或者各所述母扣可穿过所述第二通孔使所述遮挡层安装到所述加速栅表面。

12.如权利要求11所述的离子源栅网结构，其特征在于，所述子扣和所述母扣之间过盈配合。

13.一种离子源栅网结构的调整方法，其特征在于，包括：

14.如权利要求13所述的离子源栅网结构的调整方法，其特征在于，所述栅距调节方法包括：提供栅距调节结构，所述栅距调节结构包括第一固定装置和若干不同厚度规格的第一定距环，所述第一固定装置可使任一所述第一定距环固定于所述屏栅和加速栅之间；自所述屏栅的中部区获取第一调节点，自所述加速栅的中部区获取第二调节点，所述第一调节点和所述第二调节点沿所述第一方向排布，且获取所述第一调节点和所述第二调节点之间的第一目标间距；根据所述第一目标间距，选用与所述第一目标间距对应厚度的第一定距环；将选用的所述第一定距环固定于所述第一调节点和所述第二调节点之间；通过所述第一固定装置使选用的所述第一定距环固定于所述屏栅和加速栅之间。

15.如权利要求14所述的离子源栅网结构的调整方法，其特征在于，所述第一固定装置包括螺栓和与所述螺栓配合的螺母，所述螺栓包括头部和螺杆，所述螺杆可穿过所述第一通孔、所述第一定距环和所述第二通孔，所述屏栅、所述加速栅和所述第一定距环可采用所述螺栓和所述螺母紧固。

16.如权利要求14所述的离子源栅网结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：许跃跃，尹格华，郭磊，刘海洋，郑枝源，杨宇新，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：