【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装散热，特别是涉及一种散热系统。
技术介绍
1、目前芯片封装散热系统包括两种类型，第一种类型为裸die散热系统，在对裸die散热时没有封装盖板，直接在裸die和散热器之间填充一层导热界面材料进行散热。第二种类型为具有封装盖板的散热系统，在裸die和封装盖板之间填充一层导热界面材料，在封装盖板和散热器之间再填充一层导热界面材料。这两种类型的散热系统均需要通过导热界面材料传递热量，然而每增加一层导热界面材料都会带来3到5度的温升，散热能力不足100w每平方米，散热效率低。
2、芯片的集成度越来越高，对于高功率芯片，其对散热的要求也越来越高。上述两种散热系统均存在以下技术问题：
3、第一，对于已封装的芯片器件，可以通过加装尺寸大于芯片器件的叶轮式水泵来增强散热强度，但是由于传统的叶轮式水泵有旋转机械结构，体积无法做到很小，无法集成到芯片的封装结构中，因此无法提高散热效率，也无法达到高功率芯片的要求。
4、第二，传统散热系统在散热过程中释放了大量的热能，造成热能损耗。
5、第三...
【技术保护点】
1.一种散热系统，其特征在于，所述系统包括温差电薄膜层和微尺度散热器层，其中：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，当第i个PN结的第一导电片的另一侧分别连接第i个PN结的P型半导体的一端和N型半导体的一端时；第i个PN结的第二导电片的另一侧分别连接与第i个PN结的N型半导体的另一端和相邻PN结中P型半导体的一端。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，当第i个PN结的第二导电片的另一侧分别连接第i个PN结的P型半导体的一端和N型半导体的一端时；第i个PN结的第一导电片的另一侧分别连接与第i个PN结的N型半导体的另一端和相邻PN结中P
【技术特征摘要】
1.一种散热系统，其特征在于，所述系统包括温差电薄膜层和微尺度散热器层，其中：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，当第i个pn结的第一导电片的另一侧分别连接第i个pn结的p型半导体的一端和n型半导体的一端时；第i个pn结的第二导电片的另一侧分别连接与第i个pn结的n型半导体的另一端和相邻pn结中p型半导体的一端。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，当第i个pn结的第二导电片的另一侧分别连接第i个pn结的p型半导体的一端和n型半导体的一端时；第i个pn结的第一导电片的另一侧分别连接与第i个pn结的n型半导体的另一端和相邻pn结中p型半导体的一端。
4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，p型半导体和n型半导体为碲化铋基合金。
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，p型半导体为以碲化铋为基材的碲化铅合金，n型半导体为以碲化铋为基材的硒化铋合金。
6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，p型...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺潇，
申请(专利权)人：沐曦科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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