【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板加工方法、制造方法和基板加工装置。
技术介绍
1、为了制造半导体设备(semiconductor devices)，在基板(诸如，晶圆)上执行诸如摄影术、沉积、刻蚀和离子注入的各种工艺。其中，刻蚀工艺是去除形成在基板上的膜的工艺。有两种类型的刻蚀工艺：湿法刻蚀工艺，该湿法刻蚀工艺通过将刻蚀剂(etchant)供应到基板来以湿法方式去除膜；以及干法刻蚀工艺，该干法刻蚀工艺通过将等离子体、离子、自由基等递送到基板来以干法方式去除膜。
2、在湿法刻蚀工艺中，将刻蚀剂供应到基板以去除基板上的膜。基板可以设置有包含不同材料的膜的堆叠体(stack)，并且在湿法刻蚀工艺中，需要从上述膜中选择性地去除待去除的膜。
技术实现思路
1、本专利技术旨在提供一种能够有效加工基板的基板加工方法、基板制造方法和基板加工装置。
2、本专利技术还旨在提供一种能够在堆叠在基板上的各种类型的膜中选择性地去除待去除的膜的基板加工方法、基板制造方法和基板加工装置。
3、...
【技术保护点】
1.一种加工基板的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，为了提高针对所述锗化硅的刻蚀速率，提高了所述刻蚀化学品的比例，并且
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀化学品是酸性催化剂，所述酸性催化剂包括过氧化氢、乙酸、以及氢、氢氟酸或其组合，其中，所述酸性催化剂是比所述乙酸更强的酸。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将不同于所述锗化硅的材料设置在所述基板上，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括硅Si和硅氧化物SiOx中的至少一者，并且
6.根据权利要求1所述的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种加工基板的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，为了提高针对所述锗化硅的刻蚀速率，提高了所述刻蚀化学品的比例，并且
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀化学品是酸性催化剂，所述酸性催化剂包括过氧化氢、乙酸、以及氢、氢氟酸或其组合，其中，所述酸性催化剂是比所述乙酸更强的酸。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将不同于所述锗化硅的材料设置在所述基板上，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括硅si和硅氧化物siox中的至少一者，并且
6.根据权利要求1所述的方法，其中，将不同于所述锗化硅的硅材料进一步设置在所述基板上，
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一去除操作中，将所述刻蚀剂的所述制备中使用的所述刻蚀抑制剂的比例为a比例，并且
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一去除操作之前执行的预刻蚀操作中，为了仅去除部分所述锗化硅，将所述刻蚀剂的所述制备中使用的所述刻蚀化学品的比例调节为低于所述第一比例或所述第二比例的p比例。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀化学品或所述刻蚀抑制剂的比例的调节是通过调节供应到混合器的所述刻蚀化学品或所述刻蚀抑制剂的每单位时间的供应流量来完成的，所述混合器混合所述刻蚀化学品、所述刻蚀抑制剂和去离子水。
10.一种制造方法，在所述制造方法中设置在其中交替堆叠第一层和第二层的特征结构，所述第一层由锗化硅构成，所述第二层由不同于所述锗化硅的硅材料构成，所述硅材料是硅和硅氧化物中的任一者，所述制造方法包括：
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，在所述凹痕刻蚀操作中供应的所述刻蚀剂的所...
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