【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于气体分配的方法和装置。更具体地，本公开涉及具有内部螺旋(gyroid)结构的气体分配装置。
技术介绍
1、半导体制造中使用的一些反应室利用气体分配板(有时称为喷淋头)将各种气体比如前体和反应物输送到衬底并在衬底上形成膜。常规的气体分配板通过气体分配板中的共用组通孔依次提供前体和反应物。在一些情况下，通过单独的充气室将前体和反应物输送到反应室中可能是有利的。
技术实现思路
1、本技术的各种实施例可以提供3d晶格结构，其包括具有第一体积的第一充气室和与第一充气室隔离的具有第二体积的第二充气室。连续内部壁将第一充气室与第二充气室分开，并且外表面部分地包围第一和第二充气室。
2、根据一个方面，一种装置包括：3d晶格结构，包括：具有第一体积的第一充气室；具有第二体积的第二充气室，其与第一充气室隔离；以及将第一充气室与第二充气室分开的连续内部壁；联接到第一充气室的第一入口；联接到第二充气室的第二入口；以及部分地包围第一和第二充气室的外表面。
3、在一个实施例中...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述晶格结构是三周期极小曲面结构。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一和第二体积相等。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一和第二体积不相等。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一充气室包括第一多个连续互连通道。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一入口联接到所述第一多个通道中的第一通道，并且第一通道具有第一宽度。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一多个通道中的第二通道具有大于所述第一宽度的第二宽
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【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述晶格结构是三周期极小曲面结构。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一和第二体积相等。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一和第二体积不相等。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一充气室包括第一多个连续互连通道。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一入口联接到所述第一多个通道中的第一通道，并且第一通道具有第一宽度。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一多个通道中的第二通道具有大于所述第一宽度的第二宽度。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二充气室包括第二多个连续互连通道。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第二入口联接到所述第二多个通道中的第一通道，并且第一通道具有第一宽度。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第二多个通道中的第二通道具有大于所述第一宽度的第二宽度。
11....
【专利技术属性】
技术研发人员：H·A·海明格，S·波普，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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