一种小芯片尺寸的晶圆切割方法技术

本发明专利技术公开了一种小芯片尺寸的晶圆切割方法，该方法是在晶圆贴合划片膜后，利用晶圆切割系统对贴有划片膜的晶圆进行切割，包括以下步骤：切割刀沿第一方向对晶圆进行多次切割，将晶圆切为条状后；切割刀沿第二方向对晶圆进行多次切割，第二方向垂直于第一方向。在第二方向的单次切割中，切割刀均不完全切断晶圆边缘，使得晶圆边缘的废芯片不被切开，形成一个整体；具体是通过在晶圆切割系统中预先设置单次切割的预留量。本发明专利技术通过控制晶圆边缘切割余量距离，使晶圆边缘的废芯片不会切开，保证废芯片不会与划片膜分离产生飞芯，同时因边缘废芯片并非完整芯片，也不影响取芯片工序的取芯数量，不会造成数量上的缺失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆切割，更具体涉及一种小芯片尺寸的晶圆切割方法。

技术介绍

1、晶圆(wafer)是一个圆形硅片，其上建立了许多独立的电路，单个独立电路被称为芯片(die)。需要对晶圆进行切割处理，将晶圆分割成多个芯片。半导体封装
中，芯片的大小根据客户设计、fab制造已定版，划片切割只需按照制定好的切割道进行切割。划片切割工序主要使用金刚石刀片，将已磨片的且贴于划片膜上的晶圆按预先做好的晶粒图案进行分割切断，从而切成一颗颗的芯片，以便于后工序的取芯片作业。

2、随着晶圆的尺寸越来越大，厚度越来越薄，芯片的尺寸越来越小，对晶圆的切割要求越来越高。特别是针对尺寸在0.5mm以下的较小芯片，划片时因切割水需对晶圆表面冲刷以带走切割产生的硅屑，小芯片与划片膜粘合面积低，粘结力不牢，容易随水流冲走，发生飞芯片的现象(以下简称“飞芯现象”)，此飞芯现象对于晶圆边缘处的非完整芯片(废芯片)的发生频率较高；而且飞芯片还容易打坏切割刀的刀刃，导致次生风险。

3、目前针对小芯片飞芯现象的改善方案有：

4、1、通过降低切割水流量，防止本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种小芯片尺寸的晶圆切割方法，其特征在于，在晶圆贴合划片膜后，利用晶圆切割系统对贴有划片膜的晶圆进行切割，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述预留量参数为边缘预设量A与切割刀切割影响距离B之和，所述边缘预设量A指切割刀的刀痕距离晶圆边缘的距离；所述切割刀切割影响距离B是根据切割刀的刀片半径R及刀片切割深度D计算所得。

3.根据权利要求2所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述切割刀切割影响距离B的计算公式为：B＝(R^2-(R-D)^2)^0.5。

4.根据权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，单次切割中的预留量参...

【技术特征摘要】

1.一种小芯片尺寸的晶圆切割方法，其特征在于，在晶圆贴合划片膜后，利用晶圆切割系统对贴有划片膜的晶圆进行切割，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述预留量参数为边缘预设量a与切割刀切割影响距离b之和，所述边缘预设量a指切割刀的刀痕距离晶圆边缘的距离；所述切割刀切割影响距离b是根据切割刀的刀片半径r及刀片切割深度d计算所得。

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【专利技术属性】
技术研发人员：乔新春，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：