QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构技术

本发明专利技术提供了一种QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构，QFN引线框架中，平面管脚设在框架单元正面的四个角，尾翼管脚折弯后垂直于框架单元的正面，平面管脚和尾翼管脚对框架单元的每个角形成了半包围结构。本发明专利技术公开的QFN引线框架通过半包围结构分散应力，降低开裂、崩坏风险。平面管脚也提供了额外的可焊表面，使熔融焊料更容易润湿并附着，减少虚焊或拒焊的风险。QFN封装结构通过使用四周具有半包围结构的QFN引线框架，增强了封装的结构强度，有效防止了封装四角结构崩坏，提高了封装结构的整体稳定性。因为平面管脚和尾翼管脚并不会被塑封料包裹，QFN封装结构可以通过平面管脚和尾翼管脚进行散热。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体封装，特别涉及一种qfn引线框架及其制备方法和qfn封装结构。

技术介绍

1、引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到了和外部导线连接的桥梁作用，同时也是芯片内部散热的主要途径。

2、传统的qfn封装结构使用常规引线框架作为主体构架，封装后，封装结构会把引线框架完全塑封在塑封体内，散热通道较为单一，主要依靠位于封装底部中央的基岛背面进行散热，散热速度较慢，难以满足日益增长的散热需求，也会影响产品的使用寿命。

3、另外，qfn封装结构的四角区域是pcb应力集中的区域（如热膨胀或机械振动），所以四角区域的结构容易崩坏、开裂。

4、因此，亟需一种新的封装结构来解决这些问题，提升qfn封装结构的散热性能，增加封装结构强度与焊接的稳固性。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种增强整体结构强度，有效防止封装四角结构崩坏，提高稳定性的qfn引线框架以及qfn封装结构。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.QFN引线框架的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.QFN引线框架，根据权利要求1所述的方法制备形成，包括在金属基材上阵列布置的多个框架单元，所述框架单元包括设于框架单元正面的基岛和引脚，所述引脚设在框架单元四周边缘处，其特征在于，还包括设置在框架单元四个角的管脚，所述管脚包括平面管脚和尾翼管脚，所述平面管脚设在框架单元正面的四个角；所述尾翼管脚折弯后垂直于框架单元的正面，所述平面管脚和尾翼管脚对框架单元的每个角形成了半包围结构。

3.根据权利要求2所述的QFN引线框架，其特征在于，所述框架单元、平面管脚和尾翼管脚一体成型。</p>

4.根据...

【技术特征摘要】

1.qfn引线框架的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.qfn引线框架，根据权利要求1所述的方法制备形成，包括在金属基材上阵列布置的多个框架单元，所述框架单元包括设于框架单元正面的基岛和引脚，所述引脚设在框架单元四周边缘处，其特征在于，还包括设置在框架单元四个角的管脚，所述管脚包括平面管脚和尾翼管脚，所述平面管脚设在框架单元正面的四个角；所述尾翼管脚折弯后垂直于框架单元的正面，所述平面管脚和尾翼管脚对框架单元的每个角形成了半包围结构。

3.根据权利要求2所述的qfn引线框架，其特征在于，所述框架单元、平面管脚和尾翼管脚一体成型。

4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周进普，张灏杰，刘颖，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：