【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备，尤其涉及一种测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法。
技术介绍
1、在一些半导体器件的制备工艺中，会采用炉管生长工艺在生产晶圆正面和背面生长p型掺杂的多晶硅膜层。由于炉管制程本身的特性，其在运行时对晶圆数量有一定要求，若只放置少量生产晶圆，设备内的气流、温度场和化学反应环境可能不稳定，从而影响生产晶圆生长的多晶硅膜层质量。因此，可在炉管中填充测试晶圆（dummy wafer）以平衡炉管内部的热场和流场分布，保证生产晶圆的工艺质量。
2、在现有技术中，对于测试晶圆通常会通过重复使用的方式来保证炉管制程的经济性和有效循环，也即在测试晶圆沉积了多晶硅膜层后，可采用化学试剂对测试晶圆的多晶硅膜层进行清洗，以去除多晶硅膜层后的测试晶圆重新放置到炉管中与生产晶圆一同沉积多晶硅膜层，实现对测试晶圆的循环使用。但在实际使用中，测试晶圆至多循环使用三次就会出现破片现象，测试晶圆的使用寿命较短。
3、专利技术人经过分析发现，测试晶圆之所以会频繁出现破片现象的原因在于：p型掺杂的多晶硅膜层与下方的氧化硅膜层...
【技术保护点】
1.一种测试晶圆制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，在所述基于所述预设生长次数以及所述生长厚度，通过炉管工艺分批在所述测试晶圆的正面和背面生长所述氮化硅膜层之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，在所述基于所述预设生长次数以及所述生长厚度，通过炉管工艺分批在所述测试晶圆的正面和背面生长所述氮化硅膜层之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，所述氮化硅膜层的高温退火温度大于1000℃。
5.根据权利要求1所述的测试晶圆...
【技术特征摘要】
1.一种测试晶圆制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，在所述基于所述预设生长次数以及所述生长厚度，通过炉管工艺分批在所述测试晶圆的正面和背面生长所述氮化硅膜层之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，在所述基于所述预设生长次数以及所述生长厚度，通过炉管工艺分批在所述测试晶圆的正面和背面生长所述氮化硅膜层之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，所述氮化硅膜层的高温退火温度大于1000℃。
5.根据权利要求1所述的测试晶圆制备方法，其特征在于，所述预设总厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文森，李世韦，王胜林，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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