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本申请公开了一种测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法，涉及半导体制造技术领域。该测试晶圆制备方法包括：基于测试晶圆待生长的氮化硅膜层的预设生长次数以及预设总厚度，确定测试晶圆每次生长的氮化硅膜层的生长厚度；基于预设生长次数以及生长厚...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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