【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电器件封装，具体为一种深紫外led器件封装工艺。
技术介绍
1、深紫外led由于其在杀菌消毒、生物医疗、水质净化、光固化等领域的广泛应用，市场需求日益增长。传统的深紫外led器件封装工艺存在诸多问题，限制了深紫外led的性能提升和应用拓展。
2、1. 出光效率低：现有封装工艺中，深紫外led芯片发出的光线在从芯片到封装外部的传播过程中，由于材料折射率不匹配以及封装结构设计不合理，导致大量光线在内部发生全反射，无法有效出射，极大地降低了出光效率，限制了深紫外led在对光功率要求较高场景中的应用。
3、2. 散热性能差：深紫外led在工作过程中会产生大量热量，若不能及时有效地散发出去，会导致芯片温度升高，进而引起器件的光电性能下降，如发光波长漂移、发光效率降低等，严重影响器件的使用寿命和可靠性。传统封装材料和结构的散热能力不足，难以满足深紫外led日益增长的功率需求。
4、因此，研发一种能够提高出光效率、改善散热性能、简化工艺并降低成本的深紫外led器件封装工艺具有重要的现实意义和市
【技术保护点】
1.一种深紫外LED器件封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED器件封装工艺，其特征在于：步骤一中，所述芯片预处理包括采用等离子清洗技术，在真空度为10-100Pa、射频功率为200-500W的条件下，使用惰性气体等离子体对深紫外LED芯片表面处理5-10分钟；其中，惰性气体为氩气、氦气中的一种或多种混合。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED器件封装工艺，其特征在于：步骤二中，所述高导热率的陶瓷基板为氮化铝基板或氧化铝基板；所述金属化处理为通过磁控溅射或化学镀的方法在封装基板表面沉积一层铜或银金属层，...
【技术特征摘要】
1.一种深紫外led器件封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种深紫外led器件封装工艺，其特征在于：步骤一中，所述芯片预处理包括采用等离子清洗技术，在真空度为10-100pa、射频功率为200-500w的条件下，使用惰性气体等离子体对深紫外led芯片表面处理5-10分钟；其中，惰性气体为氩气、氦气中的一种或多种混合。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外led器件封装工艺，其特征在于：步骤二中，所述高导热率的陶瓷基板为氮化铝基板或氧化铝基板；所述金属化处理为通过磁控溅射或化学镀的方法在封装基板表面沉积一层铜或银金属层，金属层厚度为1-3μm。
4.根据权利要求1所述的一种深紫外led器件封装工艺，其特征在于：步骤三中，所述固晶步骤中，银胶的固化温度为160-170℃，固化时间为22-28分钟；所述引线键合步骤中，金丝键合工艺的键合参数为：超声功率50-80mw，键合压力10-20g，键合时间5-10ms，金丝的直径为15-25μm，并将封装基板分割成正极区域和负极区域，并按...
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