太阳能电池的制作方法及太阳能电池技术

本申请涉及太阳能电池领域，提供了一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池。该太阳能电池的制作方法包括提供预备基底，得到基底、掺杂层以及第一氧化层，基底包括第一区域和第二区域；第一激光处理，依次形成第一隧穿介质层、第一预备掺杂导电层以及第二氧化层；进行第二激光处理，使得第一预备掺杂导电层的部分表面裸露；形成第三氧化层，第一预备掺杂导电层形成第一掺杂导电层；在第一掺杂导电层的裸露表面上形成第一钝化层，并形成第一电极。解决了现有技术如何提升太阳能电池转换效率的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池。

技术介绍

1、在太阳能电池金属化过程中，激光掺杂会造成激光损伤、掺杂浓度不够高等问题，并且现有的掺杂工艺会使高浓度的杂质源深入硅片体内引起严重的复合，制约电池转换效率的进一步提升。

2、因此，亟需一种太阳能电池的制作方法可以解决如何提升太阳能电池的效率的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，以解决现有技术中如何提升太阳能电池转换效率的问题。

2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：提供预备基底，并对所述预备基底的一侧表面进行掺杂处理，得到基底、掺杂层以及第一氧化层，所述掺杂层位于所述基底的一侧，所述第一氧化层位于所述掺杂层远离所述基底的一侧，所述基底包括第一区域和第二区域；对所述第一氧化层的在所述第一区域具有正投影的区域进行第一激光处理，以去除部分所述第一氧化层并且使得所述掺杂层的部分表面裸露；在所述掺杂层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述掺杂层的裸露表面上以及所述第一氧化层的裸露表面上形成所述第一预备掺杂导电层的步骤中，向所述第一预备掺杂导电层所在的第一腔室内通入第一流量的惰性气体和第二流量的掺杂源，其中，温度为220～300℃，所述第一腔室的压强0.5～0.7Pa，射频功率为26～38kW，所述第一流量为280～500sccm，所述第二流量为100～300sccm，带速为185～285cm/min，所述第一预备掺杂导电层的厚度为150～250nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述掺杂层的裸露表面上以及所述第一氧化层的裸露表面上形成所述第一预备掺杂导电层的步骤中，向所述第一预备掺杂导电层所在的第一腔室内通入第一流量的惰性气体和第二流量的掺杂源，其中，温度为220～300℃，所述第一腔室的压强0.5～0.7pa，射频功率为26～38kw，所述第一流量为280～500sccm，所述第二流量为100～300sccm，带速为185～285cm/min，所述第一预备掺杂导电层的厚度为150～250nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述掺杂层的裸露表面上以及所述第一氧化层的裸露表面上形成所述第二氧化层的步骤中，向所述第二氧化层所在的第二腔室内通入第三流量的氧气，其中，温度为260～340℃，带速为180～280cm/min，射频功率为100～150w，所述第二腔室的压强为5.5～7.5pa，所述第三流量为400～500sccm，所述第二氧化层的厚度为25～45nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述基底的侧壁上和所述基底远离所述掺杂层一侧的表面上形成第三氧化层之后，所述方法还包括：

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗凯，李威，冉超，苗劲飞，苗丽燕，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：