【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造的生产设备，特别是涉及一种清洁方法，还涉及一种清洁设备。
技术介绍
1、igbt（绝缘栅双极晶体管）产品的晶圆（wafer）在制造过程中，一般需要减薄到150微米甚至100微米以下来达到产品需要。而减薄到上述厚度，晶圆已几乎无硬度，难以加工。一种示例性的igbt产品的晶圆减薄方式为taiko（太鼓）减薄。参见图1，taiko减薄与常规减薄的区别是在晶圆边缘保留一个taiko ring不进行减薄，taiko ring的厚度与减薄前一致，以此来提升晶圆的硬度，使其在后续的加工工艺中不易产生形变。
2、在taiko减薄过程中，晶圆的正面一般都会贴膜吸附在机械臂（transfer arm）上，背面则被砂轮上研磨减薄。在减薄结束后，都会对晶圆的正背面进行清洁。
3、然而，对于减薄结束后对晶圆正面的清洁，有时候会出现清洁后晶圆边缘有粉末颗粒残留的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种清洁效果较好的清洁方法。
2、一种清洁方法，包括：通过...
【技术保护点】
1.一种清洁方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述响应于所述当前图像的灰阶达到所述清洁垫的清洁条件，在所述清洁垫空闲时使清洗液作用于所述清洁垫的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，所述得到两个图像间所述清洁垫的灰阶变化的步骤包括：根据所述灰阶变化和所述两个图像的采集时间间隔，得到所述清洁垫的灰阶变化速度；
4.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，所述响应于所述灰阶变化达到所述清洁垫的清洁条件，在所述清洁垫空闲时使清洗液作用于所述清洁垫的步骤包括：
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种清洁方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述响应于所述当前图像的灰阶达到所述清洁垫的清洁条件，在所述清洁垫空闲时使清洗液作用于所述清洁垫的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，所述得到两个图像间所述清洁垫的灰阶变化的步骤包括：根据所述灰阶变化和所述两个图像的采集时间间隔，得到所述清洁垫的灰阶变化速度；
4.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，所述响应于所述灰阶变化达到所述清洁垫的清洁条件，在所述清洁垫空闲时使清洗液作用于所述清洁垫的步骤包括：
5.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，还包括：响应于所述清洁垫的空闲持续时间超过预设值，则对所述清洁垫进行加湿；和/或<...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳，简志宏，陈亚威，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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