【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置的领域，特别是涉及一种包含电熔丝元件的半导体元件及其制作方法。
技术介绍
1、随着半导体制作工艺的微小化以及复杂度的提高，半导体元件变得更容易受各式缺陷所影响。因此在制作金属连线、二极管或晶体管等元件之外，还会额外在集成电路中形成一些可熔断或形成断路的连接线(fusible links)，亦即熔丝(fuse)或电熔丝(electrical fuse,e-fuse)，以确保集成电路的可利用性。
2、一般而言，熔丝/电熔丝用以与集成电路中的冗余电路(redundancy circuit)电连接，一旦检测发现部分电路有缺陷时，熔丝/电熔丝可于修复或取代被检测出缺陷的电路。另外，目前的电熔丝设计更可提供程式化功能。例如，可于电熔丝中存储冗余信息、批次号或者安全码，由此可独特化各个芯片。
3、另外，随着物联网(internet of things,iot)的兴起，越来越多数据以数字化方式存储共享，架构安全性也益发受到重视。过去关于物联网的信息安全，大多着重于软件及网络加密连线，但其实除了网络层面的安...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该绝缘结构的顶表面包含二凹陷部位于该顶表面的二侧。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该绝缘结构的该顶表面还包含平坦部连接于该二凹陷部之间，该平坦部与该凹陷部于垂直方向的高度差为100埃至140埃。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一电熔丝元件以及该第二电熔丝元件于邻近该绝缘结构的一侧分别具有尖角结构。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一间隙壁在水平方向的宽度由下往
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该绝缘结构的顶表面包含二凹陷部位于该顶表面的二侧。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该绝缘结构的该顶表面还包含平坦部连接于该二凹陷部之间，该平坦部与该凹陷部于垂直方向的高度差为100埃至140埃。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一电熔丝元件以及该第二电熔丝元件于邻近该绝缘结构的一侧分别具有尖角结构。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一间隙壁在水平方向的宽度由下往上递减。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该外延结构在水平方向的长度为530埃至570埃。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体层的材料包含多晶硅或非晶硅。
9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该外延结构的材料包含硅锗。
10.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
11.如权利要求10所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶璟桦，施秉嘉，郭哲豪，洪佳民，陈柏宪，廖万春，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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