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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含绝缘结构、第一电熔丝元件、第二电熔丝元件、第一间隙壁、第二间隙壁以及外延结构。绝缘结构设置于基底中。第一电熔丝元件及第二电熔丝元件分别设置于绝缘结构的二侧，其中第一电熔丝元件及第二电...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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