【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及制造半导体器件。一个或多个实施例可以应用于制造例如用于汽车应用的集成电路(ic)半导体器件。
技术介绍
1、设置有所谓的四方扁平封装(qfp)的半导体器件(例如,用于汽车或工业应用)可具有相对较多数量的输入/输出(i/o)引脚(或引线)。
2、例如,在超高密度(shd)或超超高密度(sshd)器件的情况下,可能具有超过上百个引脚。
3、在此类基于引线框的封装中,半导体芯片/管芯被布置在引线框的管芯焊盘上且电耦合到被设置在管芯焊盘周围的多个引线。
4、导线通常用于在半导体管芯与引线之间提供期望的耦合。
5、还可使用导线来提供半导体管芯与管芯焊盘之间的电耦合,所述管芯焊盘时常用于为器件提供接地电平。
6、使用目前的处理技术(例如冲压或蚀刻),可以形成具有约150微米至180微米的最小节距的引线;由于相对较多的引线数量和减小的封装尺寸,管芯焊盘和引线的近端之间的距离不能减小到超过最小值,从而导致将管芯耦合到引线的导线相对较长。
7、已观察到更长的导线更易于出现
...【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括封装所述导电路径段和所述引线接合的第二电绝缘封装件。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述管芯安装位置相对于所述管芯安装位置周围的所述多个导电引线下移设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一电绝缘封装件包括激光直接成型LDS模制化合物层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述导电路径段包括:
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括:
< ...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括封装所述导电路径段和所述引线接合的第二电绝缘封装件。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述管芯安装位置相对于所述管芯安装位置周围的所述多个导电引线下移设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一电绝缘封装件包括激光直接成型lds模制化合物层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述导电路径段包括:
6.根据权利要求1所述的半导体器件,...
【专利技术属性】
技术研发人员:P·马格尼,A·阿里戈尼,G·米萨格利亚,
申请(专利权)人:意法半导体国际公司,
类型:新型
国别省市:
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