【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件制造，特别涉及一种具有低损耗绝缘连接件的离子源。
技术介绍
1、离子注入技术是半导体加工技术流程中不可缺少的一环，该技术在实现时，会将固态材料加热，并电离成离子，这些离子在筛选、加速以及调整后终将注入硅片中，达到对材料表面进行改性的目的，离子源是离子注入机的重要组成部分，用于产生离子，为了保障离子能顺利的进入注入机的其他组件，离子源与其他部件之间必须用绝缘体进行连接并进行绝缘隔离。
2、相关技术中，离子源设有离子出口，且离子源面向离子出口的端面设有筒形绝缘保护套，为了便于连接，并且避免离子从离子出口出来时落入筒形绝缘保护套的褶皱部内，设有额外的绝缘连接件，绝缘连接件插接于保护套内，连接件的外壁抵接于褶皱，连接件的内壁为光滑结构，并且连接件的内壁包绕于离子出口，可以保障绝缘的同时，避免离子落入褶皱内造成清理麻烦。
3、但是，该连接件与保护套的连接仅依靠两者之间仅仅依靠将连接件的外壁尺寸设计的与保护套的内壁适配，然后通过插接的方式进行连接，这种连接方式使得连接的非常松散，容易松脱，并且随着使用并且...
【技术保护点】
1.一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，所述密封部包括：
3.根据权利要求2所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，所述锁紧部和所述插入部之间设有缓冲部，所述缓冲部的断面呈圆弧形，所述缓冲部一端连接于所述锁紧部，另一端连接于所述插入部。
4.根据权利要求1所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，所述密封绝缘部的保护部和绝缘部均为平滑的表面。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源...
【技术特征摘要】
1.一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，所述密封部包括：
3.根据权利要求2所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，所述锁紧部和所述插入部之间设有缓冲部，所述缓冲部的断面呈圆弧形，所述缓冲部一端连接于所述锁紧部，另一端连接于所述插入部。
4.根据权利要求1所述的一种具有低损耗绝缘连接件的离子源，其特征在于，所述密封绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：方明江，蔡成振，
申请(专利权)人：无锡诚承电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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