【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及水冷背板，具体涉及一种异形水冷背板及其制备方法。
技术介绍
1、水冷背板多用于半导体芯片制造过程中，磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术，在高功率溅射时，靶材会因离子轰击产生大量热量。水冷背板能快速将热量带走，防止靶材过热变形、开裂和脱焊，确保溅射过程的稳定性和重复性，提高薄膜沉积的均匀性和质量，保证芯片制造的精度和性能。
2、目前对于靶材背板加工技术，主要以带水路的背板为主，冷却水路通常是被加工在背板上，水路的加工以冷却水道成形和焊接结合的形式完成。但是如果出现焊接工艺不稳定造成的焊接缺陷，会极大可能的导致靶材在使用过程中造成漏水等严重损害溅射机台，因此开发出良好的背板焊接工艺至关重要。
3、公开号为cn113667945a的专利文件公开了一种带水道的无氧铜背板的制备方法，所述制备方法包括：对坯料进行第一热退火处理，第一产品整形后进行粗铣处理得到底板；对坯料进行第二热退火处理，第二产品整形后进行第一精铣处理得到盖板；将所述底板以及所述盖板装配后进行焊接；第二精铣处理后对所述水道的密封性进行检测，得到所...
【技术保护点】
1.一种异形水冷背板的制备方法，所述水冷背板包括设有水道的无氧铜背板主体、无氧铜盖板和不锈钢堵头；其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述退火处理的条件为：在400-500℃的退火温度下处理2-4h，然后以10℃/min的冷却速率冷却至200℃后空冷。
3.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤一中，修正平面度的方法为：通过打磨粗铣至平面度≤1mm。
4.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤二中，将无氧铜背板主体与无氧铜...
【技术特征摘要】
1.一种异形水冷背板的制备方法，所述水冷背板包括设有水道的无氧铜背板主体、无氧铜盖板和不锈钢堵头；其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述退火处理的条件为：在400-500℃的退火温度下处理2-4h，然后以10℃/min的冷却速率冷却至200℃后空冷。
3.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤一中，修正平面度的方法为：通过打磨粗铣至平面度≤1mm。
4.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤二中，将无氧铜背板主体与无氧铜盖板通过电子束焊接的方法为：先将无氧铜背板主体与无氧铜盖板组装，然后用点冲工具在焊缝四周进行打点固定，再将整体放入电子束焊机真空腔室内用夹具固定，然后抽真空至5×10-3pa，对中进行三段式焊接，第一圈焊接束流为20-30ma、焊接速度为300-600mm/min；第二圈焊接束流为60-80ma、焊接速度为300-600mm/min；第三圈焊接束流为30-40ma、焊接速度为300-600mm/min。
5.根据权利要求1所述的异形水冷背板的制备方法，其特征在于，在步骤二中，将不锈钢堵头通过电子束焊接至无氧铜背板主体的堵孔上的方法为：将不锈钢堵头旋入无氧铜背板主体的堵孔中，然后再将整体放入电子束焊机真空腔室内用夹具固定，然后抽真空至5×10-3pa，偏铜0.3mm进行三段式焊接，第一圈焊接束流为20-30ma、焊接速度为300-600mm/min；第二圈焊接束流为60-80ma、焊接速度为300-600mm/min；第三圈焊接束流为30-40ma、焊接速度为500-700mm/min。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂卫星，何绪平，黄东长，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。