一种Cavity基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术提出了一种Cavity基板结构及其制作方法，Cavity基板结构包括：第一铜箔层，第一铜箔层的上侧设置有可被镭射的材质；第一线路层，第一线路层位于第一铜箔层的下方，在第一铜箔层和第一线路层之间填充有第一RCC层，第一RCC层包括第一树脂层和第二铜箔层，第一树脂层远离第一线路层，第二铜箔层靠近第一线路层。根据本发明专利技术实施例的技术方案，通过在第一线路板的上侧设置第一铜箔层和第一RCC层，对第一铜箔层的上方进行镭射，第一铜箔层为Cavity结构的第一次镭射提供深度基准，通过蚀刻去除第一铜箔层，对第一RCC层的上方进行镭射，第一RCC层为Cavity结构的第二次镭射提供深度基准，所得到的Cavity基板结构的深度均匀，并能实现Cavity结构的深度控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装结构，特别涉及一种cavity基板结构及其制作方法。

技术介绍

1、在pcb板上制作cavity结构，从而减小外界信号对pcb信号的干扰影响，提高信号质量和信号完整性。

2、在现有技术中，通常采用机械设备制作cavity结构。将机械设备对齐于cavity结构的制作区域，通过机械钻或机械锣的方式制作cavity结构，但是，由于机械设备精度低，在制作cavity结构的过程中，需要钻取多层不同材料的介质层，在进行机械钻或机械锣的过程中，只能通过机器参数控制深度，但是机器参数会存在一定的误差，导致通过机械设备制作得到的cavity结构的深度不均匀，且深度误差大。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种cavity基板结构及其制作方法，通过在第一线路板的上侧设置第一铜箔层和第一rcc层，使得第一铜箔层和第一rcc层的第二铜箔层能够在通过镭射方式制作cavity结构的过程中提供深度基准，对第一铜箔层的上方进行高能量镭射，第一铜箔层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Cavity基板结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种Cavity基板结构，其特征在于，所述Cavity基板结构还包括：

3.根据权利要求2所述的一种Cavity基板结构，其特征在于，所述Cavity基板结构还包括：

4.根据权利要求3所述的一种Cavity基板结构，其特征在于，所述Cavity基板结构还包括：

5.根据权利要求2所述的一种Cavity基板结构，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的一种Cavity基板结构，其特征在于，所述Cavity基板结构还包括：

7.根据权利要求3所述的...

【技术特征摘要】

1.一种cavity基板结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种cavity基板结构，其特征在于，所述cavity基板结构还包括：

3.根据权利要求2所述的一种cavity基板结构，其特征在于，所述cavity基板结构还包括：

4.根据权利要求3所述的一种cavity基板结构，其特征在于，所述cavity基板结构还包括：

5.根据权利要求2所述的一种cavity基板结构，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的一种cavity基板结构，其特征在于，所述cavity基板结构还包括：

7.根据权利要求3所述的一种cavity基板结构，其特征在于，所述cavity基板结构还包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，冯磊，黄本霞，魏勋，熊睿，钱伟，李巧灵，
申请(专利权)人：珠海越芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：