一种可实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置，其特征在于：是由机箱、断路器、交流接触器、可控硅模块、综合控制单元和信号处理单元组成，断路器与交流接触器的两端做串联连接，交流接触器的一端接输出端子，另一端接可控硅模块的一端，可控硅模块的另一端接输出端子，信号处理单元与综合控制单元通过通讯电缆连接，信号处理单元与可控硅模块相连接。本实用新型专利技术的有益效果是，在硅整流控制装置中，通过普通的开光型光耦合、运算放大器、电阻、电容、二极管连接成的电路，二次电流信号实现了线性光耦合的控制效果，元件普通易买、价格低廉。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属工业除尘
，是一种控制高压输出的硅整流 控制装置，特别涉及一种实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装 置。
技术介绍
目前，用于电除尘器的硅整流控制装置大多釆用单片机控制，单 片机根据采集到的一次电压、电流，二次电压、电流参数控制高压输 出，其中二次电流取自变压器的二次侧，含有大量的干扰信号，影响 系统的稳定，因此在送到单片机前通常先送到线性光耦合器，经隔离 后再送到单片机。电除尘器广泛应用于钢铁、化工、水泥等行业，这 些企业通常远离城市，交通不是十分方便，线性光耦合一般在较大的 城市方有销售，因此一旦线性光耦合损坏购买十分不便，影响除尘器的正常运行，开关型光耦应有较为普遍，随处可买；另外，线性光耦的价格远远高于开关型光耦的价格，增加设备成本。
技术实现思路
本技术克服了上述存在的缺陷，目的是解决硅整流控制装置 中线性光耦合器购买不便、价格高的问题，提供一种实现线性光耦合 控制效果的硅整流控制装置。本技术实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置内容简述本技术实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置，其特征 在于是由机箱、断路器、交流接触器、可控硅模块、综合控制单元 和信号处理单元组成，断路器与交流接触器的两端做串联连接，交流 接触器的一端接输出端子，另一端接可控硅模块的一端，可控硅模块 的另一端接输出端子，信号处理单元与综合控制单元通过通讯电缆连 接，信号处理单元与可控硅模块相连接。本技术的有益效果是，在硅整流控制装置中，通过普通的开 光型光耦合、运算放大器、电阻、电容、二极管连接成的电路，二次 电流信号实现了线性光耦合的控制效果，元件普通易买、价格低廉。附图说明图1是实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置的结构示意图2是硅整流装置中实现线性光耦合控制效果的控制电路图 图中1是机箱、2是断路器、3是交流接触器、4是可控硅模块、5是信号处理单元、6是综合控制单元。具体实施方式本技术实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置是这样 实现的，以下结合附图做具体说明。见图l，断路器2与交流接触器3的两端做串联连接，交流接触 器3的一端接输出端子，另一端接可控硅模块4的一端，可控硅模块 4的另一端接输出端子，信号处理单元5与综合控制单元6通过通讯 电缆连接，信号处理单元5与可控硅模块4相连接。见图2是硅整流装置中实现线性光耦合控制效果的控制电路图 图，图中，R1 R8是电阻，Dl是二极管，Cl、 C2是电容，Ul是运 算放大器，U2、 U3是同一光耦合集成块中的两个开关型光耦合回路， +VS1、 +￥82是光耦合的供电电源。二次电流信号接到电阻R1的一端，电阻R1的另端接运算放大 器的同相输入端，同时接电阻R2、电容C1的一端，电阻R2、电容 C1的另端接地GND1;运算放大器的输出接电胆R4的一端，R4的 另端接光耦合U2的一个输入端，同时接二极管D1的负端，二极管 的正端接地GND1;光耦合U2的另一输入端接光耦合U3的一个输 入端，光耦合U3的另一输入端接地GND1;光耦合U2的供电源为 +VS1,光耦合U2的输出接电阻R5，电阻R5的另端接电阻R6，同 时接电阻R3，电阻R3的另端接运算放大器U1的反相输入端，用以 改变此电路的线性输出的斜率；电阻R6的另端接地GNDh U3的供 电源为+VS2，光耦合U3的输出接电阻R7,电阻R7的另端接电阻 R8、电容C2，同时输出线性输出信号，电阻R8、电容C2的另端接 地GND2。本电路采用的是开关型光耦合，通过与运算放大器、电阻、 电容、二极管的连接实现了线性光耦合的控制效果。二次电流采样信号接到电阻的输入端，经电阻分压、电容积分加 到运算放大器的同相输入端，运算放大器的输出经电阻限流加到两串 联光耦合的输入端，与输入端相连的二极管起反相保护作用。 一路光 耦合的输出经分压、滤波产生与线性光耦合同样效果的输出信号，送到下一级参与单片机的控制；另一路光耦合的输出经电阻分压、限流 作为负反馈送到运算放大器的反相输入端，用以改变此电路的输出信 号斜率，通过负反馈深度的改变可以得到不同斜率的线性输出信号， 此电路利用开关型光耦合器实现了线性光耦合器在本装置中的控制 效果。光耦合器采用集成在同一集成块中的两个回路，为普通的开关型 光耦合集成块， 一路做为线性信号输出，另一路做为负反馈改变线性 信号的斜率。信号输入回路、负反馈回路共用一个接地点，线性信号输出回路 为另一接地点。其中，信号处理单元由电阻、电容、二极管、运算放大器、开关 型光耦合组成的电路实现了线性光耦合的控制效果。二次电流采样信 号接到电阻的输入端，经电阻分压、电容积分加到运算放大器的同相 输入端，运算放大器的输出经电阻限流加到两串联光耦合的输入端， 与输入端相连的二极管起反相保护作用。 一路光耦合的输出经分压、 滤波产生与线性光耦合同样效果的输出信号，送到下一级参与单片机 的控制；另一路光耦合的输出经电阻分压、限流作为负反馈送到运算 放大器的反相输入端，用以改变输出信号斜率，通过改变负反馈的深 度可以得到不同斜率的线性输出信号，此电路利用开关型光耦合器实 现了线性光耦合器在本装置中的控制效果。权利要求1、实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置，其特征是由机箱(1)、断路器(2)、交流接触器(3)、可控硅模块(4)、信号处理单元(5)、综合控制单元(6)组成，断路器(2)与交流接触器(3)的两端做串联连接，交流接触器(3)的一端接输出端子，另一端接可控硅模块(4)的一端，可控硅模块(4)的另一端接输出端子，信号处理单元(5)与综合控制单元(6)通过通讯电缆连接，信号处理单元(5)与可控硅模块(4)相连接。2、 根据权利要求1所述的实现线性光耦合控制效果的硅整流控 制装置，其特征在于在硅整流装置中实现线性光耦合控制效果的控 制电路中，二次电流信号接到电阻Rl的一端，电阻R1的另端接运 算放大器的同相输入端，同时接电阻R2、电容C1的一端，电阻R2、 电容Cl的另端接地GND1;运算放大器的输出接电阻R4的一端， R4的另端接光耦合U2的一个输入端，同时接二极管D1的负端，二 极管的正端接地GND1;光耦合U2的另一输入端接光耦合U3的一 个输入端，光耦合U3的另一输入端接地GND1;光耦合U2的供电 源为+VSl，光耦合U2的输出接电阻R5，电阻R5的另端接电阻R6， 同时接电阻R3，电阻R3的另端接运算放大器U1的反相输入端，用 以改变此电路的线性输出的斜率；电阻R6的另端接地GND1; U3 的供电源为+VS2，光耦合U3的输出接电阻R7，电阻R7的另端接电 阻R8、电容C2，同时输出线性输出信号，电阻R8、电容C2的另端 接地GND2。3、 根据权利要求1所述的实现线性光耦合控制效果的硅整流控 制装置，其特征在于光耦合器采用集成在同一集成块中的两个回路， 为普通的开关型光耦合集成块， 一路做为线性信号输出，另一路做为 负反馈改变线性信号的斜率。4、 根据权利要求1所述的实现线性光耦合控制效果的硅整流控 制装置，其特征在于信号输入回路、负反馈回路共用一个接地点， 线性信号输出回路为另一接地点。专利摘要本技术涉及一种实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置，其特征在本文档来自技高网...

【技术保护点】
实现线性光耦合控制效果的硅整流控制装置，其特征是：由机箱（１）、断路器（２）、交流接触器（３）、可控硅模块（４）、信号处理单元（５）、综合控制单元（６）组成，断路器（２）与交流接触器（３）的两端做串联连接，交流接触器（３）的一端接输出端子，另一端接可控硅模块（４）的一端，可控硅模块（４）的另一端接输出端子，信号处理单元（５）与综合控制单元（６）通过通讯电缆连接，信号处理单元（５）与可控硅模块（４）相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李丽，唐云雷，赵莉，闫皓，潘世光，马秀丽，
申请(专利权)人：清华同方鞍山环保设备股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：21[中国|辽宁]