一种三层过渡金属硫化物的异质结构制造技术

本发明专利技术涉及一种三层过渡金属硫化物的异质结构及制备方法，将两层相同的二维过渡金属硫化物置于最外两层，在中间放置一不同的二维过渡金属硫化物，并使最外两层二维过渡金属硫化物分别相对于中间层的二维过渡金属硫化物旋转θ/2和‑θ/2，使最外两层二维过渡金属硫化物相对旋转θ，形成镜面扭转对称的M<supgt;01</supgt;X<subgt;2</subgt;/M<supgt;02</supgt;X<subgt;2</subgt;/M<supgt;01</supgt;X<subgt;2</subgt;的三层转角TMD异质结构；该异质结构的层间激子的电子和空穴层分离使光学偶极矩几近消失进而增加拓扑激子的寿命，解决拓扑结构与长寿命之间的冲突；该异质结构的镜面扭转对称性为层间莫尔激子提供高效的玻色子连续介质模型，且能实现具有镜面对称性的四极激子和偶极矩相反的偶极激子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子莫尔超晶格，特别是涉及一种三层过渡金属硫化物的异质结构。

技术介绍

1、基于二维过渡金属硫化物(tmd)的半导体由于其狭窄的带宽和相互缠绕的电子波函数特性，已成为实现强关联电子和拓扑非平庸性的平台。在具有非平庸能带拓扑结构的tmd超晶格中，实验研究观察到许多强关联电子现象，例如莫特绝缘体(mott insulator)和广义维格纳晶体(generalized wigner crystal)；在具有拓扑能带的tmd超晶格中，实验研究观察到具有拓扑非平庸性的相关相位，如整数量子反常霍尔态和分数量子反常霍尔态。上述实验研究观察结果表明，tmd莫尔超晶格是实现费米子量子模拟的一个真实材料平台。

2、tmd超晶格的周期特性使得激子能带在有效的谷塞曼场中获得特定的陈数。目前，已在tmd莫尔超晶格异双层中观察到激子的不可压缩关联态以及玻色子莫特绝缘体，为研究玻色子的多体态开辟了新的研究领域。在这些超晶格中，莫尔条纹的调制作用导致激子局域在三角晶格上具有显著的在位能，有效模拟了玻色-哈伯德模型(bose-hubbard)，如有研究团队在wse本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三层过渡金属硫化物的异质结构，包括：依次堆叠的第一二维过渡金属硫化物层M01X2，第二二维过渡金属硫化物层M02X2和第三二维过渡金属硫化物层M03X2，其特征在于，第一二维过渡金属硫化物层M01X2相对于第二二维过渡金属硫化物层M02X2旋转θ/2，第三二维过渡金属硫化物层M03X2相对于第二二维过渡金属硫化物层M02X2旋转-θ/2，且第一二维过渡金属硫化物层M01X2与第三二维过渡金属硫化物层M03X2相同。

2.如权利要求1所述的三层过渡金属硫化物的异质结构，其特征在于，第一二维过渡金属硫化物层M01X2相对于第三二维过渡金属硫化物层M03X2旋转θ，形成镜面...

【技术特征摘要】

1.一种三层过渡金属硫化物的异质结构，包括：依次堆叠的第一二维过渡金属硫化物层m01x2，第二二维过渡金属硫化物层m02x2和第三二维过渡金属硫化物层m03x2，其特征在于，第一二维过渡金属硫化物层m01x2相对于第二二维过渡金属硫化物层m02x2旋转θ/2，第三二维过渡金属硫化物层m03x2相对于第二二维过渡金属硫化物层m02x2旋转-θ/2，且第一二维过渡金属硫化物层m01x2与第三二维过渡金属硫化物层m03x2相同。

2.如权利要求1所述的三层过渡金属硫化物的异质结构，其特征在于，第一二维过渡金属硫化物层m01x2相对于第三二维过渡金属硫化物层m03x2旋转θ，形成镜面扭转对称的m01x2/m02x2/m03x2的二维过渡金属硫化物。

3.如权利要求2所述的三层过渡金属硫化物的异质结构，其特征在于，第一二维过渡金属硫化物层m01x2，第二二维过渡金属硫化物层m02x2和第三二维过渡金属硫化物层m03x2均为单层。

4.如权利要求2所述的三层过渡金属硫化物的异质结构，其特征在于，第二二维过渡金属硫化物层m02x...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱起忠，严涛，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：