小型化MEMS压力传感器制造技术

本申请涉及MEMS传感器技术领域，具体而言，涉及一种小型化MEMS压力传感器。小型化MEMS压力传感器，包括：基底，包括应变膜和沿所述应变膜便于设置并支撑所述应变膜的基座；压敏电阻，设置于所述应变膜；其中，所述应变膜和所述基座的内侧面的夹角为90°。在上述技术方案中，应变膜和基座的内侧面的夹角为90°，也即是，基座的内侧面为直面，相比于基座的内侧面为斜面的设置方式，这样能够在保证应变膜尺寸的情况下尽可能地减小基底的尺寸，从而能够减小MEMS压力传感器的结构尺寸，有利于实现传感器的小型化设计。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及mems传感器，具体而言，涉及一种小型化mems压力传感器。

技术介绍

1、mems压力传感器通常用si的薄膜作为感应压力的膜片，在受到应力作用的膜片上注入压阻条，其阻值随着应力的大小改变。再通过惠斯通电桥的结构将压阻条电阻的变化反映到输出电压的大小。一般性的是背腔是通过湿法的微加工刻蚀工艺得到。湿法的加工工艺是各向异性的且通常会刻蚀成一个斜的面，此会加大芯片的尺寸。尤为典型的应用是mems岛式压力传感器。

技术实现思路

1、本申请为了克服现有技术中的至少一个不足，提供一种小型化mems压力传感器。

2、本申请实施例提供了一种小型化mems压力传感器，包括：

3、基底，包括应变膜和沿所述应变膜边缘设置并支撑所述应变膜的基座；

4、压敏电阻，设置于所述应变膜；

5、其中，所述应变膜和所述基座的内侧面的夹角为90°。

6、在上述技术方案中，应变膜和基座的内侧面的夹角为90°，也即是，基座的内侧面为直面，相比于基座的内侧面为斜面的设置方式，这样能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种小型化MEMS压力传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述基底的一侧设置有凹槽，所述凹槽使所述基底形成所述应变膜和所述基座。

3.根据权利要求2所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述凹槽的内表面为刻蚀面。

4.根据权利要求2所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述凹槽和所述压敏电阻分别位于所述应变膜的相对两侧。

5.根据权利要求1所述的小型化MEMS压力传感器，其特征在于，所述基底为单晶硅衬底、多晶硅衬底或者SOI衬底。

6.根据权利要求1所述的小型...

【技术特征摘要】

1.一种小型化mems压力传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述基底的一侧设置有凹槽，所述凹槽使所述基底形成所述应变膜和所述基座。

3.根据权利要求2所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述凹槽的内表面为刻蚀面。

4.根据权利要求2所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述凹槽和所述压敏电阻分别位于所述应变膜的相对两侧。

5.根据权利要求1所述的小型化mems压力传感器，其特征在于，所述基底为单晶硅衬底、...

【专利技术属性】
技术研发人员：许森，
申请(专利权)人：上海芯绒科技有限公司，
类型：新型
国别省市：