【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法。
技术介绍
1、在文献《干法刻蚀中晶圆表面温度控制研究》中，可以知道干法刻蚀工艺中，晶圆温度会直接影响刻蚀速率、刻蚀均匀性及刻蚀形貌，从而对最终的器件性能产生影响。通过实验，确认了静电吸盘的夹持电压及氦压、射频源功率、下电极温度及晶圆本身都会对刻蚀过程中的晶圆温度产生一定影响，其中静电吸盘的夹持电压及氦压对晶圆温度影响最大，晶圆翘曲、下射频源功率次之，上射频源功率、下电极冷却温度对晶圆温度影响基本相当，影响程度最小。
2、在文献《等离子体刻蚀机静电吸盘温度控制方法仿真研究》中，可以知道等离子刻蚀是现代集成电路制造的关键工序。随着集成电路特征尺寸从45过渡到22nm，用于制造芯片的晶圆直径从300mm向450mm转型，业界对等离子刻蚀工艺的要求越来越高。其中，晶圆的刻蚀速率和刻蚀均匀性是评价刻蚀质量的重要指标，而晶圆温度分布均匀性是影响这两个指标的重要因素。晶圆温度分布主要受等离子能量空间分布以及用于固定晶圆、与晶圆接触的静电吸盘的影响。由于腔室内离...
【技术保护点】
1.一种温度自适应控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的温度自适应控制方法，其特征在于，所述温度数据包括位于内层区、中层区和外层区之间的温度差ΔT、冷却介质流速v和冷却介质温度Tc。
3.根据权利要求1所述的温度自适应控制方法，其特征在于，所述初始数学模型的表达式为：
4.根据权利要求1所述的温度自适应控制方法，其特征在于，在步骤S4中，具体过程包括以下步骤：
5.一种应用于上述权利要求1-4任一项所述温度自适应控制方法的装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的温度自适...
【技术特征摘要】
1.一种温度自适应控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的温度自适应控制方法，其特征在于，所述温度数据包括位于内层区、中层区和外层区之间的温度差δt、冷却介质流速v和冷却介质温度tc。
3.根据权利要求1所述的温度自适应控制方法，其特征在于，所述初始数学模型的表达式为：
4.根据权利要求1所述的温度自适应控制方法，其特征在于，在步骤s4中，具体过程包括以下步骤：
5.一种应用于上述权利要求1-4任一项所述温度自适应控制方法的装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的温度自适应控制装置，其特征在于，所述冷却系统还包括管道网络，所述管道网络与内层区、中层区和外层区所在的冷却管道组成相互独立的内外循环。
7.一种应用于上述权利要求1-4任一项所述自适应控制方法的新型刻蚀静电吸盘，包括作为静电吸盘主体结构的基台(1)，以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：原凡彬，金天明，何健，刘坤，袁亮，
申请(专利权)人：迈睿捷南京半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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