一种晶圆缺口定位方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本申请提供了一种晶圆缺口定位方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：首先对符合SEMI标准的晶圆缺口进行数据采样，构建数学模型并封装为功能模块。然后，利用该功能模块对目标晶圆缺口进行定位，获取第一位置信息。最后，基于圆心偏移值对第一位置信息进行精度补正，得到第二位置信息，并据此对目标晶圆缺口进行矫正；本申请通过数学建模与精度补正，实现了高效精准的定位，有效提升了晶圆制造的质量和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片领域，尤其涉及一种晶圆缺口定位方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，是最常用的半导体材料，按其直径分为6英寸、8英寸等规格，近年来为了满足半导体制造的需要，已经发展出12英寸甚至更大规格的晶圆。随着晶圆尺寸的不断增大，对晶圆制造工艺的要求也不断提高。

2、晶圆上通常留有缺口，目的是在晶圆的制造和处理过程中提供参考标记和识别晶圆的类型、掺杂和晶向等信息，而缺口作为一个参考标记，可以帮助确定晶圆的方向和位置，随着晶圆尺寸的不断增加，为了减少浪费，大尺寸晶圆通常采用u型或v型的小口(norch)，而不是平角(flat)，随着芯片制造工艺越来越高，越来越精密，晶圆缺口定位精度也随之提高，实际应用中，原来精度达到0.1°的定位，目前要求达到0.03°或者更高。现有的缺口定位方法，一种是利用边缘变化率法计算夹角和设定阈值的方法，计算量较大，同时要求采集的相邻数据振幅不能变化太大；另一种利用极值方法求缺口的方法，虽然能满足现有大多数的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆缺口定位方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述数学模型基于近似曲线推定和近似直线推定构建，近似曲线传递函数为y1＝a1x12+b1x1+c1，a1、b1、c1通过所述数学模型辨识得到；近似V型传递函数为y2＝k1|x2|+b2，k1、b2通过所述数学模型辨识得到；y1和y2为所述目标晶圆缺口的边缘距离，x1和x2为晶圆旋转角度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述功能模块通过以下方式对所述目标晶圆缺口进行定位：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于圆心偏移值对所述第一位置信...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆缺口定位方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述数学模型基于近似曲线推定和近似直线推定构建，近似曲线传递函数为y1＝a1x12+b1x1+c1，a1、b1、c1通过所述数学模型辨识得到；近似v型传递函数为y2＝k1|x2|+b2，k1、b2通过所述数学模型辨识得到；y1和y2为所述目标晶圆缺口的边缘距离，x1和x2为晶圆旋转角度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述功能模块通过以下方式对所述目标晶圆缺口进行定位：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于圆心偏移值对所述第一位置信息进行精度补正处理，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述矫正角度通过以下方式计算：

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓尉，吕维迪，杨森元，邓博雅，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：