【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种红外场景生成器件的制造方法。
技术介绍
1、红外场景生成系统能够为红外半实物仿真试验的待测试设备提供实时的红外图像源。红外场景生成器件是红外场景生成系统中的核心器件，根据工作方式可分为直接辐射型和辐射调制型，红外场景生成芯片是典型的红外场景生成器件之一，其通过光驱动的方式使得芯片产生自发辐射。
2、在相关技术中，为了减少对流换热，一些红外场景生成器件需要在真空度较高的环境下工作。为保持真空工作环境，这些器件或芯片通常被固定于真空腔内，采用真空设备与真空腔相连保持真空度，但是由真空腔和真空机组构成的真空系统不仅会导致整个测试系统的体积庞大、灵活性较低，而且真空系统的组成构件复杂、重量大、难以整体搬动或挪动，因此测试系统的便携性较差。另外，芯片工作时真空设备需时刻保持通电工作状态，真空机组的工作功率较大因此电能消耗较多。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种红外场景生成器件的制造方法，该红外场景生成器件的制造方法不仅可以提升敏感单元的耐久度和可靠性，还可以减少红外场景生成器件整体的体积，提升便携性。
2、根据本专利技术的红外场景生成器件的制造方法，包括：制备芯片基底，其中，所述芯片基底具有在第一方向上相对的进光面和出光面，所述芯片基底的进光面设置有敏感单元；在所述芯片基底的进光面设置封盖，其中，所述封盖具有可见光进口，所述可见光进口与所述敏感单元在第一方向
3、由此，通过真空系统将封盖和芯片基底形成的内腔抽至真空，加热使得封盖和芯片基底连接固定可以构成真空封装的红外场景生成器件，不仅可以提升敏感单元耐久度和可靠性，还可以减少红外场景生成器件整体的体积。
4、在本专利技术的一些示例中，所述加热使得所述封盖和所述芯片基底连接固定的步骤还包括：在所述芯片基底和所述封盖之间设置焊料件；加热使得所述焊料件将所述芯片基底和所述封盖连接固定。
5、在本专利技术的一些示例中，所述焊料件为合金焊料片和键合剂中的至少一种。
6、在本专利技术的一些示例中，所述在所述芯片基底的进光面设置封盖的步骤之前，还包括：所述在所述芯片基底的进光面设置吸气件。
7、在本专利技术的一些示例中，所述吸气件位于所述敏感单元和所述焊料件之间且在所述芯片基底的周向上延伸设置。
8、在本专利技术的一些示例中，所述芯片基底和所述封盖之间设置有焊料件的步骤还包括：在所述芯片基底和所述封盖之间设置支撑件，其中，所述焊料件包括第一焊料件和第二焊料件，所述支撑件与所述封盖之间设置有所述第一焊料件，所述支撑件和所述芯片基底之间设置有所述第二焊料件。
9、在本专利技术的一些示例中，所述吸气件在所述敏感单元的外侧周向延伸设置，所述吸气件与所述第二焊料件相对应且位于所述第二焊料件的内圈；和/或所述吸气件与所述第一焊料件相对应且位于所述第一焊料件的内圈；和/或所述吸气件与所述支撑件相对应且位于所述支撑件的内圈。
10、在本专利技术的一些示例中，所述敏感单元与所述吸气件在第一方向上的投影相互间隔设置。
11、在本专利技术的一些示例中，所述敏感单元为光热转换单元。
12、在本专利技术的一些示例中，所述芯片基底为碳化硅基底，所述芯片基底对红外波段的透过率为a，a的取值范围为：a＞70%。
13、在本专利技术的一些示例中，所述在所述芯片基底的进光面设置封盖的步骤之前还包括：将所述封盖刻蚀出在第一方向朝向远离所述芯片基底的一侧凹陷的凹槽，其中，所述可见光进口与所述凹槽相对应。
14、在本专利技术的一些示例中，所述封盖包括保护框部和进光部，所述可见光进口位于所述进光部，所述保护框部设置于所述进光部的周向边缘，所述将所述封盖刻蚀出在第一方向朝向远离所述芯片基底的一侧凹陷的凹槽的步骤包括：将所述进光部刻蚀出在第一方向朝向远离所述芯片基底的一侧凹陷的凹槽。
15、在本专利技术的一些示例中，所述可见光进口和所述芯片基底的出光面中的至少一个设置有增透膜。
16、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述加热使得所述封盖（20）和所述芯片基底（10）连接固定的步骤还包括：
3.根据权利要求2所述的红外场景生成器件（100）的制造方法，其特征在于，所述焊料件（30）为合金焊料片和键合剂中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片基底（10）的进光面（101）设置封盖（20）的步骤之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸气件（40）位于所述敏感单元（103）和所述焊料件（30）之间且在所述芯片基底（10）的周向上延伸设置。
6.根据权利要求2所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述芯片基底（10）和所述封盖（20）之间设置有焊料件（30）的步骤还包括：
7.根据权利要求5所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸气件（40）在所述敏感单元（103）的外侧周向延伸设置，所述吸气件
8.根据权利要求4所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述敏感单元（103）与所述吸气件（40）在第一方向上的投影相互间隔设置。
9.根据权利要求1所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述敏感单元（103）为光热转换单元。
10.根据权利要求1所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述芯片基底（10）为碳化硅基底，所述芯片基底（10）对红外波段的透过率为a，a的取值范围为：a＞70%。
11.根据权利要求1所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片基底（10）的进光面（101）设置封盖（20）的步骤之前还包括：
12.根据权利要求11所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述封盖（20）包括保护框部（203）和进光部（204），所述可见光进口（201）位于所述进光部（204），所述保护框部（203）设置于所述进光部（204）的周向边缘，所述将所述封盖（20）刻蚀出在第一方向朝向远离所述芯片基底（10）的一侧凹陷的凹槽（202）的步骤包括：
13.根据权利要求1所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述可见光进口（201）和所述芯片基底（10）的出光面（102）中的至少一个设置有增透膜。
...【技术特征摘要】
1.一种红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述加热使得所述封盖（20）和所述芯片基底（10）连接固定的步骤还包括：
3.根据权利要求2所述的红外场景生成器件（100）的制造方法，其特征在于，所述焊料件（30）为合金焊料片和键合剂中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片基底（10）的进光面（101）设置封盖（20）的步骤之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸气件（40）位于所述敏感单元（103）和所述焊料件（30）之间且在所述芯片基底（10）的周向上延伸设置。
6.根据权利要求2所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述芯片基底（10）和所述封盖（20）之间设置有焊料件（30）的步骤还包括：
7.根据权利要求5所述的红外场景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸气件（40）在所述敏感单元（103）的外侧周向延伸设置，所述吸气件（40）与所述第二焊料件（302）相对应且位于所述第二焊料件（302）的内圈；和/或
8.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德芳，孙亚轩，刘朝辉，杨镇骏，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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