静电中和载台、晶圆表面处理设备及晶圆表面处理方法技术

本申请公开了一种静电中和载台、晶圆表面处理设备及晶圆表面处理方法，静电中和载台包括主体、磁铁和金属件，工作时，主体通电、产生负偏置电势，使得晶圆积累负电荷；中和气体被金属件电离，产生正离子和电子，靠近磁铁时，电子会运动到中和气体通道的管道壁上、并通过触壁转移，正离子能够通过中和气体通道、吹扫晶圆背面，从而中和晶圆表面积累的负电荷，避免静电对晶圆造成损伤；晶圆表面处理设备通过采用静电中和载台，实现了对晶圆的保护；在晶圆表面处理过程中，先正常进行晶圆表面处理，处理一段时间后，再开始静电中和，完成晶圆表面处理后，继续静电中和一段时间，从而确保对晶圆的去电。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶圆表面处理，尤其是一种静电中和载台、晶圆表面处理设备及晶圆表面处理方法。

技术介绍

1、晶圆在生产过程中会反复经历表面处理（薄膜-光刻-刻蚀-剥膜）。在各类晶圆表面处理设备中，用于承载晶圆的载台往往都需要连接电源的正极、以吸引电子。因此，处理过程中，电子会积累在晶圆的表面，使得晶圆带负电。静电会以不同方式对晶圆中的微电子器件进行电性冲击，使得器件中的绝缘电介质膜层漏电流偏大，从而导致半导体器件发生电性失失效等问题。同时，静电还会导致绝缘电介质击穿失效。

2、因此，需要再生产制程中控制静电残留，以提高晶圆的生产良率和微电子器件可靠性。

技术实现思路

1、本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足，提供一种静电中和载台、晶圆表面处理设备及晶圆表面处理方法。

2、本申请提供了一种静电中和载台，包括：主体，用于承托晶圆，主体上设有中和气体通道；磁铁，靠近中和气体通道的出气端、设于中和气体通道外侧；金属件，设于中和气体通道内、并位于磁铁下方；第一射频电源，用于向主体供电；第二射频电源本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电中和载台，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的静电中和载台，其特征在于，所述主体（100）包括：

3.根据权利要求2所述的静电中和载台，其特征在于，所述主体（100）还包括第一安装座（140），所述第一安装座（140）设于所述支座（130）的中空空间内，用于安置所述磁铁（210）；

4.根据权利要求3所述的静电中和载台，其特征在于，所述支座（130）可拆卸地设置在所述接料部（110）中；

5.根据权利要求2所述的静电中和载台，其特征在于，所述金属件（220）设于所述延伸部（120）的中空空间内、位于所述支座（130）下方...

【技术特征摘要】

1.一种静电中和载台，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的静电中和载台，其特征在于，所述主体（100）包括：

3.根据权利要求2所述的静电中和载台，其特征在于，所述主体（100）还包括第一安装座（140），所述第一安装座（140）设于所述支座（130）的中空空间内，用于安置所述磁铁（210）；

4.根据权利要求3所述的静电中和载台，其特征在于，所述支座（130）可拆卸地设置在所述接料部（110）中；

5.根据权利要求2所述的静电中和载台，其特征在于，所述金属件（220）设于所述延伸部（120）的中空空间内、位于所述支座（130）下方；

6.根据权利要求5所述的静电中和载台，其特征在于，所述主体（100）还包括第二安装座（150），所述第二安装座...

【专利技术属性】
技术研发人员：张陈斌，丁聪，张超，葛青涛，宋永辉，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：