一种集成电路金属块制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种集成电路金属块制作工艺，属于集成电路技术领域，包括以下步骤：准备晶圆；于晶圆上涂布PBO光敏性介电层材料；将无效区的PBO光敏性介电层材料去除；对PBO光敏性介电层材料曝光、显影、固化；在PBO光敏性介电层材料上溅射Ti/Cu金属层；在Ti/Cu金属层上涂布PR胶，对PR曝光、显影；去除PR胶的残留物；进行Cu/Ni/SnAg电镀；进行PR胶脱离；蚀刻Cu/Ti金属层；根据产品需要判断是否进行植球。本发明专利技术通过引入去除无效区PBO光敏性介电层材料的步骤，解决了PBO层翘起的难题，改善了因UBM剥离造成的芯片良率损失问题，有效杜绝了金属碎片掉落至晶圆有效芯片区域致使芯片失效的隐患，从而全方位提升了产品Bumping封装品质，本发明专利技术通用性极高，适用于所有后道Bumping封装领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，尤其涉及一种集成电路金属块制作工艺。

技术介绍

1、在bumping封装流程，因客户的特殊需求，会在晶圆上涂一层pbo胶用来保护线路或用作应力缓冲层，pbo胶由于胶本身的特性，经过高温烘烤后边缘无效die区域的pbo层很容易出现光刻胶翘起现象(peeling)，当溅射金属层后，由于下层的pbo胶翘起，存在高度差，ubm层覆盖不佳，蚀刻时容易导致金属层剥离，剥离的金属层经清洗后掉落至晶圆有效芯片区域内，导致芯片失效，影响bumping封装良率。目前业界pbo+cubumping的流程因固化后边缘无效区域的pbo层翘起，导致该区域ubm覆盖不佳，光阻stripper时ubm层易剥离，掉落至有效芯片区域内导致良率损失。

技术实现思路

1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术改善了因ubm剥离造成的芯片良率损失问题，有效杜绝了金属碎片掉落至晶圆有效芯片区域致使芯片失效的隐患。

2、为了实现上述目的，采用了如下技术方案：本专利技术提供了一种集成电路金属块制作工艺，包括以下步本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：将无效区的PBO光敏性介电层材料去除，包括：

3.根据权利要求2所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于，将无效区的PBO光敏性介电层材料去除，还包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：所述晶圆低速旋转的转速为200-1000rpm。

5.根据权利要求3所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：所述去边喷嘴与晶圆边缘的距离为2-2.5mm，所述去边喷嘴与晶圆边缘的夹角为5...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：将无效区的pbo光敏性介电层材料去除，包括：

3.根据权利要求2所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于，将无效区的pbo光敏性介电层材料去除，还包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：所述晶圆低速旋转的转速为200-1000rpm。

5.根据权利要求3所述的一种集成电路金属块制作工艺，其特征在于：所述去边喷嘴与晶圆边缘的距离为2-2.5mm，所述去边喷嘴与晶圆边缘的夹角为50-80°。

6.根据权利要求3所述的一种集成电路金属块...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌坚，顾佳仪，
申请(专利权)人：日月新先进技术研究昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：