【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像处理，具体是涉及一种基于氧化镓晶片的位错识别系统及其识别方法。
技术介绍
1、氧化镓作为一种具有宽禁带和优异热稳定性的材料，近年来在功率电子器件和高频通信领域受到了广泛关注。在氧化镓基材料的研究中，位错是影响其晶体质量和器件性能的关键因素。位错的存在可能导致晶体生长缺陷、器件电性能不稳定，甚至影响材料的可靠性。
2、氧化镓晶片的位错密度影响着氧化镓晶片的质量，现有的氧化镓晶片位错识别方法只是识别氧化镓晶片的位错信息，并没有对氧化镓晶片的位错密度进行分析，进而不能精准的评估出氧化镓晶片的质量。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，提供一种基于氧化镓晶片的位错识别系统及其识别方法，本技术方案解决了上述
技术介绍
中提出的氧化镓晶片的位错密度影响着氧化镓晶片的质量，现有的氧化镓晶片位错识别方法只是识别氧化镓晶片的位错信息，并没有对氧化镓晶片的位错密度进行分析，进而不能精准的评估出氧化镓晶片的质量的问题。
2、为达到以上目的，本专利技术采用的技术方案为：p>
3、一种基本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，控制电子显微镜对氧化镓晶片进行图像采集，获取待识别氧化镓晶片具体包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，对待识别氧化镓晶片图像进行分析处理，获取氧化镓晶片的位错相关数据具体包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，对氧化镓晶片的位错信息进行分析处理，获取...
【技术特征摘要】
1.一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，控制电子显微镜对氧化镓晶片进行图像采集，获取待识别氧化镓晶片具体包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，对待识别氧化镓晶片图像进行分析处理，获取氧化镓晶片的位错相关数据具体包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，对氧化镓晶片的位错信息进行分析处理，获取氧化镓晶片的位错相关数据具体包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓晶片的位错识别方法，其特征在于，所述基于分析管理终端，对氧化镓晶片的位错相关数据进行分析处理，获取氧化镓晶片的位错密度具体包括如下步骤：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：陶绪堂，翟世兰，贾志泰，
申请(专利权)人：山东国镓晶谷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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