【技术实现步骤摘要】
本技术涉及流量传感器，尤其是指一种多轴方向测量流量传感器芯片。
技术介绍
1、热式流量传感器通过向加热电阻提供恒定电压，根据不同流速条件下上下游测温元件所反应的温度差来测量流量。根据所使用的测温电阻类型，热式流量传感器可以分为热敏电阻式和热电堆式两种。热敏电阻式传感器依靠热敏电阻的特性来测温，而热电堆式传感器则由多个热电偶串联组成。热电偶是由两种不同材料的导体构成的闭合回路，当两端存在温度差时，会在回路中产生电势差，这种现象称为塞贝克效应。
2、目前市面上主要流通的mems流量传感器通常是单一流向或单轴双向的设计，在面对多方向气体流动时，会产生误差，无法准确反映实际流动情况。
技术实现思路
1、为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中流量传感器单一流向或单轴双向的设计无法准确反映多方向气体流动时的实际流动情况。
2、为解决上述技术问题，本技术提供一种多轴方向测量流量传感器芯片，包括：
3、衬底；
4、中心热源结构，设置于所述衬底且呈十
【技术保护点】
1.一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，所述衬底（100）包括硅片以及设置于所述硅片表面的支撑结构层。
3.根据权利要求2所述的一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，所述支撑结构层包括依次设置于所述衬底（100）表面的氧化硅支撑层以及氮化硅支撑层。
4.根据权利要求3所述的一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，所述氧化硅支撑层的厚度在0.1~5μm；所述氮化硅支撑层的厚度在0.01~0.5μm。
5.根据权利要求1所述的一种多...
【技术特征摘要】
1.一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，所述衬底（100）包括硅片以及设置于所述硅片表面的支撑结构层。
3.根据权利要求2所述的一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，所述支撑结构层包括依次设置于所述衬底（100）表面的氧化硅支撑层以及氮化硅支撑层。
4.根据权利要求3所述的一种多轴方向测量流量传感器芯片，其特征在于，所述氧化硅支撑层的厚度在0.1~5μ...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨绍松，
申请(专利权)人：无锡芯感智科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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