【技术实现步骤摘要】
本技术涉及流量传感器，尤其是指一种热式流量传感器。
技术介绍
1、热式流量传感器是通过给加热电阻进行恒压供电，根据不同流速下，上下游的测温元件反应的温度差来进行流量的测量。其测温电阻种类的不同又可以分为热敏电阻式流量传感器和热电堆式流量传感器。然而，现有的热电堆式流量传感器存在响应速度慢、灵敏度低、结构复杂等问题，亟需一种改进的热式流量传感器来克服这些技术缺陷。
技术实现思路
1、为此，本技术提供一种热式流量传感器，具有速度快、灵敏度高且结构稳定的特点。
2、为解决上述技术问题，本技术提供一种热式流量传感器，包括：
3、衬底，其背面设置有阻挡层；
4、支撑结构层，设置于所述衬底正面的表面；
5、上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源结构，分别设置于所述支撑结构层表面；
6、第一绝缘层，分别覆盖所述上游热电堆下层热电偶、所述下游热电堆下层热电偶以及所述中心热源结构各自的表面；
7、上游热电堆上层热电偶和下游...
【技术保护点】
1.一种热式流量传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述背面释放腔（11）位于所述衬底（1）中的部分呈等腰倒梯形。
3.根据权利要求1所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述阻挡层（10）采用厚度在0.01~1μm的氧化硅。
4.根据权利要求3所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述支撑结构层包括依次设置于所述衬底（1）表面的氧化硅支撑层（2）以及氮化硅支撑层（3）。
5.根据权利要求4所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述氧化硅支撑层（2）的厚度在0.1~5μm。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种热式流量传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述背面释放腔（11）位于所述衬底（1）中的部分呈等腰倒梯形。
3.根据权利要求1所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述阻挡层（10）采用厚度在0.01~1μm的氧化硅。
4.根据权利要求3所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述支撑结构层包括依次设置于所述衬底（1）表面的氧化硅支撑层（2）以及氮化硅支撑层（3）。
5.根据权利要求4所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述氧化硅支撑层（2）的厚度在0.1~5μm。
6.根据权利要求4所述的一种热式流量传感器，其特征在于，所述氮化硅支撑层（3）的厚度在0.01~0.5μm。
7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨绍松，
申请(专利权)人：无锡芯感智科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。