掩模版图的处理方法、装置、设备、介质及产品制造方法及图纸

本申请公开了一种掩模版图的处理方法、装置、设备、介质及产品，涉及半导体集成电路技术领域。该掩模版图的处理方法包括：对目标掩模版图进行光刻规则检查，得到目标掩模版图的目标版图特征信息；通过缺陷修正模型对目标版图特征信息进行处理，得到目标掩模版图的目标缺陷修正策略，缺陷修正模型为根据历史版图特征信息以及对应的历史缺陷修正策略对大模型进行微调后得到的模型；基于目标缺陷修正策略，对目标掩模版图进行缺陷修正，得到缺陷修正后的目标掩模版图。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体集成电路，尤其涉及一种掩模版图的处理方法、装置、设备、介质及产品。

技术介绍

1、现阶段中，芯片实际制造之前会先进行版图设计和制造掩模版。在将掩模版移送掩模制造厂商之前，会通过一个仿真模型对掩模版进行检测，即对设计的掩模版进行仿真模拟得到曝光后的轮廓，然后通过光刻规则检查(lithography rule check，lrc)获取掩模版存在的缺陷。在检测到掩模版存在缺陷的情况下，对缺陷的修正是一个至关重要的环节。

2、现有方法中，在通过lrc检测获取到掩模版的缺陷之后，一般通过经验丰富的光学临近效应修正(optical proximity correction，opc)工程师人工调节掩模版中缺陷周围的图形参数，进行弥补修正。

3、然而，现有方法中依赖有经验的工程师去修正缺陷，无法直接给出准确的修正方案，导致缺陷修正的效率较低且准确性较差。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种掩模版图的处理方法、装置、设备、介质及产品，能够提高缺陷修正的效率以及准确性。

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【技术保护点】

1.一种掩模版图的处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过缺陷修正模型对所述目标版图特征信息进行处理，得到所述目标掩模版图的目标缺陷修正策略之前，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标掩模版图包括桥连缺陷类型的缺陷图形；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一图形修正操作包括以下至少一种：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标掩模版图包括颈缩缺陷类型的缺陷图形；

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标掩模版图包括亚分辨率辅...

【技术特征摘要】

1.一种掩模版图的处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过缺陷修正模型对所述目标版图特征信息进行处理，得到所述目标掩模版图的目标缺陷修正策略之前，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标掩模版图包括桥连缺陷类型的缺陷图形；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一图形修正操作包括以下至少一种：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标掩模版图包括颈缩缺陷类型的缺陷图形；

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标掩模版图包括亚分辨率辅助图形缺陷类型的缺陷图形；

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标缺陷修正...

【专利技术属性】
技术研发人员：周桌霖，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：