【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体行业陶瓷基板表面处理，更具体地说，是涉及一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液及其制备方法。
技术介绍
1、在pcb(印刷线路板)铜蚀刻液领域中，主要以酸性蚀刻液及碱性蚀刻液为主。酸性蚀刻为负片蚀刻，药液的组成一般为氯酸钠+添加剂+盐酸体系，蚀刻速率可达到：30-50um/min。而碱性蚀刻为正片蚀刻，药液的组成一般为氯化铵+添加剂+氨水体系，蚀刻速率可达到：40-70um/min。
2、陶瓷基板制作工艺中，在基板表层溅射钛金属后，在dpc、dbc制作工艺覆铜环节中均会有薄铜基板的制作，铜层厚度一般为3-5um。而后期基板的成型制作需要将铜层、钛层蚀刻掉，形成较粗的线路。而以上酸性蚀刻液与碱性蚀刻液在此基板的铜蚀刻工艺中完全不适用，高蚀刻速率很容易对基板需保留的铜层造成严重咬蚀，对基板可靠性造成重大的影响。
3、在3-5um的铜厚度，硫酸+双氧水+稳定剂体系微蚀液做此类基板的蚀刻应是最合适的，但是双氧水会容易攻击钛金属，虽然添加钝化型抑制剂可以抵制药液对钛金属的咬蚀，同时也会抑制双氧水做为氧化剂的能力而降...
【技术保护点】
1.一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液由以下按质量百分比的原料组成：
2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述硫酸的浓度为50wt％。
3.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述过硫酸钠的浓度含量为99％。
4.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、十二烷基硫酸钠、氯化苯甲烃铵、聚山梨酯中的一种或其组合。
5.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述改性氮杂环加速剂由以...
【技术特征摘要】
1.一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液由以下按质量百分比的原料组成：
2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述硫酸的浓度为50wt％。
3.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述过硫酸钠的浓度含量为99％。
4.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷板薄铜蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、十二烷基硫酸钠、氯化苯甲烃铵、聚山梨酯中的一种或其组合。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘纪有，钟建聪，广沢巴洲，曾江文，成世斌，李峰，
申请(专利权)人：信丰超淦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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