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续压导流装置制造方法及图纸

技术编号:4506888 阅读:273 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种续压导流装置,导流管(2)的电极1连接电容C2和二极管D1、二极管D2的负极,导流管(2)的电极2连接滤波电容C1的正极,电容C2另一端连接二极管D3、二极管D5的正极和二极管D4的负极,二极管D4的正极连接电源负极。二极管D1的正极、二极管D5的负极和二极管D2的正极、二极管D3的负极分别连接单相全桥串联的逆变器(3)上桥臂晶闸管的阴极、下桥臂晶闸管的阳极。续流电流经二极管D1、二极管D3或经二极管D2、二极管D5向电容C2充电。电容C2的放电电流经导流管(2)、二极管D4传输至滤波电容C1。二极管D1、D2、D3、D5对逆变器的晶闸管没有电压钳位,有利于提高晶闸管的工作频率,续压导流装置适用于单相半桥或单相全桥串联的逆变器。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种续压导流装置,适用于单相半桥和单相全桥串联逆变器。
技术介绍
现有单相半桥或者单相全桥串联逆变器广泛应用于感应加热器,其上桥臂和下桥 臂大多数是晶闹管,与晶闸管并联的是续流二极管,续流二极管为晶闸管提供续流电 流通道。缺点是续流二极管对晶闸管的电压钳位,导致晶闸管关断的稳定性很差,使 得晶闸管的关断时间增加,限制了晶闸管只能工作在较低的频率范围。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种续流装置,使得续流二极管对单相半桥 或单相全桥串联逆变器的上桥臂和下桥臂晶闸管没有电压钳位作用。为解决上述问题 ,本技术采用的技术方案是,由控制电路,滤波电容Cl,导 流管,电容C2和二极管D1、 D2、 D3、 D4、 D5构成续压导流装置。滤波电容C1连接 电源正极和电源负极,控制电路连接导流管的控制极,导流管的电极l连接电容C2、 二极管Dl和二极管D2的负极,导流管的电极2连接滤波电容Cl的正极。电容C2的 另一端连接二极管D3、 二极管D5的正极和二极管D4的负极,二极管D4的正极连接 电源负极。对于单相全桥串联逆变器,二极管Dl的正极和二极管D5的负极依次连接 单相全桥上桥臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,二极管D2的正极和二极管D3 的负极依次连接单相全桥另一侧上桥臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,两个上 桥臂晶闸管的阳极连接电源正极,两个下桥臂晶闸管的阴极连接电源负极。对于单相 半桥串联逆变器,二极管Dl的正极和二极管D5的负极依次连接单相半桥上桥臂晶闸 管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,二极管D2的正极和二极管D3的负极依次连接单相 半桥另一侧上桥臂电容上端和下桥臂电容下端。由单相全桥或单相半桥串联逆变器产 生的续流电流经二极管Dl、 二极管D3向电容C2充电,另一路经二极管D2、 二极管 D5向电容C2充电,电容C2电压高于电容Cl电压。在单相半桥或单相全桥的晶闸管 由导通变为关断后,控制电路输出或者延时输出脉冲至导流管的控制极,导流管导通, C2的放电电流从导流管的电极1向电极2传输、经二极管D4传输至滤波电容C1。 二 极管D1、 D2、 D3、 D5是续流二极管,二极管D1、 D2、 D3、 D5对晶闸管没有电压钳位 作用,有利于对晶闹管实施快速关断。控制电路延时输出脉冲的时间应小于2毫秒、脉冲宽度是5微秒至3毫秒,延时时间及脉冲宽度依据逆变器频率确定,电容C2容量 是谐振电容的2至10倍。导流管是绝缘双极型晶体管,还可以是电力M0SFET、双极 型晶体管和晶闸管。以导流管是双极型晶体管为例,双极型晶体管的集电极、发射极 和基极对应于导流管的电极1、电极2和控制极。这种续压导流装置具有以下特征-1. 续压导流装置包括滤波电容Cl连接电源正极和电源负极,控制电路连接导流 管的控制极,二极管Dl的正极和二极管D5的负极依次连接单相全桥串联逆变器上桥 臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,二极管D2的正极和二极管D3的负极依次连 接单相全桥串联逆变器另一侧的上桥臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,导流管 的电极l连接电容C2和二极管Dl、 二极管D2的负极,导流管的电极2连接滤波电 容Cl的正极,电容C2的另一端连接二极管D3、 二极管D5的正极和二极管D4的负 极,二极管D4的正极连接电源负极,续流电流经二极管D1、 二极管D3或者经二极 管D2、 二极管D5传输至电容C2,在单相全桥的晶闸管由导通变为关断后,导流管导 通,电容C2的放电电流经导流管、二极管D4传输至滤波电容C1。2. 续压导流装置包括滤波电容Cl连接电源正极和电源负极,控制电路连接导流 管的控制极,二极管Dl的正极和二极管D5的负极依次连接单相半桥串联逆变器上桥 臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,二极管D2的正极和二极管D3的负极依次连 接单相半桥串联逆变器另一侧的上桥臂电容上端和下桥臂电容下端,导流管的电极1 连接电容C2和二极管D1、 二极管D2的负极,导流管的电极2连接滤波电容C1的正 极,电容C2的另一端连接二极管D3、 二极管D5的正极和二极管D4的负极,二极管 D4的正极连接电源负极,续流电流经二极管D1、 二极管D3或者经二极管D2、 二极 管D5传输至电容C2,在单相半桥的晶闸管由导通变为关断后,导流管导通,电容C2 的放电电流经导流管、二极管D4传输至滤波电容Cl。3. 导流管是晶闹管,还可以是电力M0SFET、双极型晶体管和绝缘双极型晶体管, 电流由导流管的电极1向电极2传输,导流管导通的时间是5微秒至3毫秒。由于采用上述方案,续流二极管对单相半桥或单相全桥的晶闸管没有电压钳位, 有利于对晶闸管实施快速关断,提高晶闸管的工作频率。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明 附图说明图1是本技术续压导流装置第一个实施方式的电路图。 图2是本技术续压导流装置第二个实施方式的电路图。图中l.控制电路2.导流管3.单相全桥串联逆变器 4.单相半桥串联逆变器具体实施方式图l是本技术续压导流装置第一个实施方式的电路图。在单相全桥串联逆变 器(3)上,两个上桥臂晶闸管的阳极连接滤波电容Cl和电源正极,两个下桥臂晶闸 管的阴极连接滤波电容C1的另一端和电源负极。导流管(2)采用绝缘双极型晶体管 Q,绝缘双极型晶体管Q的集电极、射极和栅极对应于导流管(2)的电极1、电极2 和控制极。绝缘双极型晶体管Q的集电极连接二极管Dl、 二极管D2的负极和电容C2, 其射极连接滤波电容C1的正极,栅极和射极连接控制电路(1)。电容C2的另一端连 接二极管D3、 二极管D5的正极和二极管D4的负极,二极管D4的正极连接电源负极。 二极管D2的正极、二极管D3的负极和二极管Dl的正极、二极管D5的负极依次连接 单相全桥串联逆变器(3)的两个上桥臂晶闸管的阴极、下桥臂晶间管的阳极。由单相 全桥串联逆变器(3)产生的续流电流经二极管Dl、 二极管D3向电容C2充电,另一 路经二极管D2、 二极管D5向电容C2充电。在单相全桥的晶闸管由导通变为关断后, 控制电路(1)延时100微秒输出脉冲至绝缘双极型晶体管Q的栅极,脉冲宽度800 微秒,绝缘双极型晶体管Q导通,电容C2的放电电流经绝缘双极型晶体管Q、 二极管 D4传输至滤波电容C1。 二极管D1、 D2、 D3、 D5对单相全桥的晶闸管没有电压钳位, 电容C2容量是谐振电容的2倍。图2是本技术续压导流装置第二个实施方式的电路图,在单相半桥串联逆变 器(4)上,上桥臂晶闸管的阳极和另一侧上桥臂电容上端连接电源正极,下桥臂晶间 管的阴极和另一侧下桥臂电容下端连接电源负极。二极管Dl的正极和二极管D5的负 极依次连接上桥臂晶闹管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,二极管D2的正极和二极管 D3的负极依次连接单相半桥串联逆变器(4)另一侧的上桥臂电容上端和下桥臂电容 下端。导流管(2)采用晶闸管SR,晶闸管SR的阳极、阴极和门极对应于导流管(2) 的电极l、电极2和控制极。晶闸管SR的门极和阴极连接控制电路(1),晶闸管SR 的阳极连接二极管D1、 二极管D2的负极和电容C2,其阴极连接滤波电容Cl的正极。 电容C2的另一端连接二极管D3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种续压导流装置,包括滤波电容C1连接电源正极和电源负极,控制电路(1)连接导流管(2)的控制极,二极管D1的正极和二极管D5的负极依次连接单相全桥串联逆变器(3)上桥臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,二极管D2的正极和二极管D3的负极依次连接单相全桥串联逆变器(3)另一侧的上桥臂晶闸管的阴极和下桥臂晶闸管的阳极,其特征在于:导流管(2)的电极1连接电容C2和二极管D1、二极管D2的负极,导流管(2)的电极2连接滤波电容C1的正极,电容C2的另一端连接二极管D3、二极管D5的正极和二极管D4的负极,二极管D4的正极连接电源负极,续流电流经二极管D1、二极管D3或者经二极管D2、二极管D5传输至电容C2,在单相全桥的晶闸管由导通变为关断后,导流管(2)导通,电容C2的放电电流经导流管(2)、二极管D4传输至滤波电容C1。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢文艳
申请(专利权)人:谢文艳
类型:实用新型
国别省市:61[中国|陕西]

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