一种固态硬盘无效数据填充方法及设备技术

本申请涉及固态硬盘技术领域，具体涉及一种固态硬盘无效数据填充方法及设备，本方法基于无效数据填充速度模型实现，通过定义参数K、、计算无效数据填充速度，将最近一次IO命令的发送时间记为以持续更新，同时，闪存转换层根据计算的无效数据填充速度持续对物理块进行无效数据的填充。本申请将物理块尾部填充无效数据的过程合理化，使填充过程能应对各种IO插入场景。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及硬盘维护，具体涉及一种固态硬盘无效数据填充方法及设备。

技术介绍

1、nand型闪存是ssd的关键存储介质。在nand型闪存中，浮栅晶体管按照一定的结构层级被组织为闪存阵列。在nand中，物理页（简称pg）是最小的读取单元，字线（简称wl）是最小的编程单元，物理块（简称blk）是最小的擦除单元。

2、闪存在编程过程中，若某一物理块开放时间过长，则可能导致已注入的浮栅极电子溢出，进而导致已写入该物理块的数据发生错误。此时，若直接关闭该物理块，则未写入数据的部分在擦除时将承受较高的电位差，增加磨损，影响物理块的使用寿命。基于上述现象，一种解决方案是在物理块开放时间达到阈值且未被写满时，闪存转换层向物理块尾部填充无效数据，然后关闭物理块。

3、在现有技术中，无效数据的填充方案相关研究较少。若将物理块剩余部分一次性填充完毕，或者在单位时间内固定填充大量的无效数据，则无法应对填充过程中突发的io命令，延长主机发起io命令的响应时间；若单位时间内填充少量数据，则填充时间增长反而增加了物理块的开放时间，进而增大了发生数据错误的风险。...

【技术保护点】

1.一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

7.一种用于实现权利要求1所述的固态硬盘无效数据填充设备，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种固态硬盘无效数据填充方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的一种固态硬盘无效数据填充...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞，刘忞斋，杨勇军，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：