System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储装置和存储器控制装置制造方法及图纸_技高网

存储装置和存储器控制装置制造方法及图纸

技术编号:45058246 阅读:2 留言:0更新日期:2025-04-22 17:41
本公开涉及一种存储装置和存储器控制装置。本公开的实施例可以基于存储器中包括的字线的读取电压分布,提供针对相应存储器优化的读取重试表,并且通过根据采样数据的数量改变设置读取重试表的方法,即使对于采样数据不充足的存储器也可以提供最佳读取重试表。

【技术实现步骤摘要】

本公开的多种实施例总体上涉及一种存储装置和存储器控制装置


技术介绍

1、存储装置可以包括存储器,存储器包括多个存储器单元并存储数据。存储装置可以包括控制存储器的操作的控制器。

2、控制器可以根据外部请求或内部操作控制向存储器写入数据、读取写入存储器的数据或擦除写入存储器的数据的操作。

3、当控制器执行读取写入存储器的数据的操作时,可以使用预设的读取电压执行读取操作。在这种情况下,由于存储器的特性变化,基于预设读取电压的读取操作可能无法正常执行。


技术实现思路

1、本公开的多种实施例旨在提供能够提高读取写入存储器的数据的操作和当读取操作失败时执行的读取重试操作的性能的措施。

2、在本公开的实施例中,一种存储装置可以包括:存储器,包括布置在多条字线和多条位线之间的多个存储器单元,并存储读取重试表;以及控制器,被配置为使用读取重试表控制针对多个存储器单元的读取重试操作,读取重试表是使用内部数据和外部数据确定的,其中,内部数据基于多条字线之中的m条字线的读取电压而确定,m大于或等于1,并且其中,外部数据基于多个外部存储器中的每一个中包括的至少n条字线的读取电压而确定,n大于m。

3、在本公开的实施例中,一种存储装置可以包括:第一存储器,包括多条第一字线以及块,该块中存储有基于多条第一字线之中的m条第一字线的读取电压而确定的第一读取重试表,m大于或等于1;以及第二存储器,包括多条第二字线以及块,该块中存储有基于多条第二字线之中的至少n条第二字线的读取电压而确定的第二读取重试表,n大于m。

4、在实施例中,一种存储器控制装置可以包括:采样数据接收单元,被配置为从存储器或外部接收k条字线的读取电压的采样数据,k大于或等于1;以及最佳读取重试表生成器,被配置为基于采样数据生成包括k条字线的存储器的读取重试表。

5、根据本公开的实施例,可以提高当存储装置中包括的每个存储器的读取操作失败时执行的读取重试操作的性能。

6、根据本公开内容的实施例的详细描述和以下附图中,本专利技术的这些和其他特征和优点将变得显而易见。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1. 一种存储装置,包括:

2. 根据权利要求1所述的存储装置,其中,

3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表基于所述M条字线的读取电压与多个外部读取重试表之间的比较结果而设置,所述多个外部读取重试表基于所述至少N条字线的读取电压而设置。

4.根据权利要求1所述的存储装置,其中,

5.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表基于所述存储器根据读取重试操作的失败位计数而确定,所述读取重试操作是利用基于所述至少N条字线的读取电压设置的多个外部读取重试表而执行的。

6.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表与分别存储在所述多个外部存储器中的外部读取重试表之一相同。

7.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表与所述多个外部存储器之中的第一外部存储器中存储的第一外部读取重试表相同,并且与所述多个外部存储器之中的第二外部存储器中存储的第二外部读取重试表不同。

8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,所述存储器中包括的多条字线的读取电压分布与所述第一外部存储器中包括的多条字线的读取电压分布不同。

9.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表的第一部分与所述多个外部存储器之中的第一外部存储器中存储的第一外部读取重试表的一部分相同,并且所述读取重试表的第二部分与所述多个外部存储器之中的第二外部存储器中存储的第二外部读取重试表的一部分相同。

10.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述多个外部存储器中的每一个包括块,所述块中存储有基于根据所述至少N条字线的读取电压分布的采样数据而确定的外部读取重试表。

11.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表包括针对多个第一条件中的每一个以及与所述多个第一条件中的每一个相对应的多个第二条件中的每一个确定的至少一个读取重试值。

12.根据权利要求11所述的存储装置,其中,所述至少一个读取重试值是针对包括所述多条字线之中的至少两条字线的字线组确定的。

13. 一种存储装置,包括:

14.根据权利要求13所述的存储装置,其中,

15.根据权利要求13所述的存储装置,进一步包括控制器,所述控制器控制所述第一存储器和所述第二存储器,使用所述第一读取重试表控制对所述第一存储器的读取重试操作,并使用所述第二读取重试表控制对所述第二存储器的读取重试操作。

16. 一种存储器控制装置,包括:

17.根据权利要求16所述的存储器控制装置,其中,当K大于或等于预设数量时,所述最佳读取重试表生成器基于所述K条字线的读取电压的采样数据生成所述存储器的读取重试表。

18.根据权利要求17所述的存储器控制装置,其中,当K小于所述预设数量时,所述最佳读取重试表生成器通过以下方式生成所述读取重试表:将所述K条字线的读取电压的采样数据与数量大于或等于所述预设数量的字线的读取电压进行比较,或者将所述K条字线的读取电压的采样数据与基于数量大于或等于所述预设数量的字线的读取电压生成的读取重试表进行比较。

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【技术特征摘要】

1. 一种存储装置,包括:

2. 根据权利要求1所述的存储装置,其中,

3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表基于所述m条字线的读取电压与多个外部读取重试表之间的比较结果而设置,所述多个外部读取重试表基于所述至少n条字线的读取电压而设置。

4.根据权利要求1所述的存储装置,其中,

5.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表基于所述存储器根据读取重试操作的失败位计数而确定,所述读取重试操作是利用基于所述至少n条字线的读取电压设置的多个外部读取重试表而执行的。

6.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表与分别存储在所述多个外部存储器中的外部读取重试表之一相同。

7.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表与所述多个外部存储器之中的第一外部存储器中存储的第一外部读取重试表相同,并且与所述多个外部存储器之中的第二外部存储器中存储的第二外部读取重试表不同。

8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,所述存储器中包括的多条字线的读取电压分布与所述第一外部存储器中包括的多条字线的读取电压分布不同。

9.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述读取重试表的第一部分与所述多个外部存储器之中的第一外部存储器中存储的第一外部读取重试表的一部分相同,并且所述读取重试表的第二部分与所述多个外部存储器之中的第二外部存储器中存储的第二外部读取重试表的一部分相同。

10.根据权利要求1所述的存储装置,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙载容尹泓植
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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