高浪涌MOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高浪涌MOS器件及其制备方法，其包括栅极结构、第二导电类型体区、第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区，栅极结构至少设置有两个，第二导电类型体区设置在两个栅极结构之间，多个第一导电类型第一源区沿第一方向排布设置，多个第一导电类型第二源区沿第一方向排布设置，第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区在第二方向上处于不同位置，第一导电类型第一源区和第二导电类型第二源区沿第一方向依次交错设置，第一导电类型第一源区和相邻的第一导电类型第二源区连接，本发明专利技术具有显著的增加MOS器件中第二导电类型体区的结面积，进而有效的增加P/N结的结面积，有效增强MOS器件的抗浪涌能力的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的，特别是涉及一种高浪涌mos器件及其制备方法。

技术介绍

1、mos(金属氧化物半导体)器件是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子设备、工业控制系统和消费类电子产品中，其因具备高开关效率、低功耗和优异的电流控制性能而受到广泛关注。在实际应用中，mos器件通常需要在高压、高浪涌电流的环境下工作，因而其抗浪涌性能直接影响器件的可靠性和使用寿命。

2、现有的mos器件如图1所示，通常采用条形元胞结构，在体区结构15内设置条状的源区结构14，并通过优化体区结构15和源区结构14的掺杂参数和布局来提升器件的性能。

3、然而，在这种设计中，体区结构的结面积相对较小，使得p/n结的结面积相对较小，当需要在高浪涌电流和高压冲击环境下使用时，p/n结的载流子容量有限，无法有效分散浪涌电荷，从而容易导致局部过热甚至器件击穿，显著影响mos器件的抗浪涌性能，因此需要提供一种能够显著提升器件的抗浪涌能力，以适应高浪涌电流和高压冲击的应用环境的mos器件。

技术实现思路

1、有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高浪涌MOS器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的高浪涌MOS器件，其特征在于，相邻的所述第一导电类型第一源区以及所述第一导电类型第二源区在第二方向上的重合部分的宽度小于所述第一导电类型第一源区或/和所述第一导电类型第二源区沿第二方向上的宽度的一半。

3.如权利要求1所述的高浪涌MOS器件，其特征在于，多个所述第一导电类型第一源区和多个所述第一导电类型第二源区沿第一方向呈S型排布设置。

4.如权利要求1所述的高浪涌MOS器件，其特征在于，所述第一导电类型第一源区设置有两排，两排所述第一导电类型第一源区均沿第一方向排布设置，所述第一导电...

【技术特征摘要】

1.一种高浪涌mos器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的高浪涌mos器件，其特征在于，相邻的所述第一导电类型第一源区以及所述第一导电类型第二源区在第二方向上的重合部分的宽度小于所述第一导电类型第一源区或/和所述第一导电类型第二源区沿第二方向上的宽度的一半。

3.如权利要求1所述的高浪涌mos器件，其特征在于，多个所述第一导电类型第一源区和多个所述第一导电类型第二源区沿第一方向呈s型排布设置。

4.如权利要求1所述的高浪涌mos器件，其特征在于，所述第一导电类型第一源区设置有两排，两排所述第一导电类型第一源区均沿第一方向排布设置，所述第一导电类型第二源区位于两排所述第一导电类型第一源区之间，每排所述第一导电类型第一源区均和多个第一导电类型第二源区沿第一方向交错排布设置。

5.如权利要求1所述的高浪涌mos器件，其特征在于，所述第一导电类型第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖巍，何军，
申请(专利权)人：无锡旷通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：