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本发明涉及一种高浪涌MOS器件及其制备方法，其包括栅极结构、第二导电类型体区、第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区，栅极结构至少设置有两个，第二导电类型体区设置在两个栅极结构之间，多个第一导电类型第一源区沿第一方向排布设置，多个第一导...
该专利属于无锡旷通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡旷通半导体有限公司授权不得商用。

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