一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，通过优化冷冻干燥等工艺参数，以水生成的冰晶作为模板，成功得到了具有均匀孔隙结构、孔隙率和孔径可调、密度小、强度大的多孔陶瓷；本发明专利技术还采用氧化铝粉体、增塑剂、分散剂、粘结剂、脱泡剂、增稠剂等为主要原料，调整浆料配方，改善浆料的流动性、成型性和稳定性。此外，通过掺杂烧结助剂，多孔陶瓷还具有良好的介电强度和抗压强度。该方法不仅能够提供优异的热管理性能，而且工艺简单、原料广泛、成本低廉，环境友好，为静电卡盘等提供了一种具有潜在应用潜力的高性能多孔陶瓷材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多孔陶瓷材料的制备方法，尤其涉及一种用于半导体领域静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的冷冻干燥制备方法。具体而言，本专利技术的包括但不限于半导体制造过程中的热管理材料、静电吸盘、热交换器、气体分布器等应用的氧化铝多孔陶瓷的制备方法和相关产品。

技术介绍

1、氧化铝多孔陶瓷是一种含有大量孔隙的材料，因其独特的物理和化学性质，如高孔隙率、低密度、高强度、良好的化学稳定性和热稳定性，在各个领域中扮演着至关重要的角色。当前，多孔陶瓷的应用背景主要体现在以下几个方面：(1)环保净化：在水处理、气体净化和尾气处理中，多孔陶瓷作为过滤和吸附材料，能够有效去除杂质和污染物。(2)能源催化：在燃料电池、催化剂载体和热交换器中，高比表面积的多孔陶瓷提供了更大的活性面积和热传导性能。(3)生物医疗：多孔陶瓷被用于制造人工骨骼和牙齿等生物植入物，由于其无毒无害，生物相容性好，能够促进组织生长。(4)半导体领域：多孔陶瓷是半导体制造中的重要设备关键零部件，可为应用于半导体设备中过滤、分散和固定，以及晶圆加工过程热管理的气流控制，从而提高硅片加工的良率。>

2、氧化铝多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述冷冻阶段为常压，从室温开始降温，设定温度为-100～-1℃，保温时间为1～50h，平均降温速率为1～10℃/h，优选的所述平均降温速率为1～6℃/h。

3.根据权利要求1所述的一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述升华阶段的压强为0.001bar，设定温度为-50～-20℃，保温时间为5～36h，平均升温速率为1～20℃/h，优选的所述平均升温速率为1～10℃/h。

4.根...

【技术特征摘要】

1.一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述冷冻阶段为常压，从室温开始降温，设定温度为-100～-1℃，保温时间为1～50h，平均降温速率为1～10℃/h，优选的所述平均降温速率为1～6℃/h。

3.根据权利要求1所述的一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述升华阶段的压强为0.001bar，设定温度为-50～-20℃，保温时间为5～36h，平均升温速率为1～20℃/h，优选的所述平均升温速率为1～10℃/h。

4.根据权利要求1所述的一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述排胶步骤的升温速率r1为1～8℃/min，优选的所述r1为1～5℃/min，所述保温时间t1为1～6h，优选的所述t1为1～3h，所述升温速率r2为1～15℃/min，优选的所述r2为1～10℃/min，所述保温时间t2为1～10h，优选的所述t2为1～6h。

5.根据权利要求1所述的一种用于静电卡盘的氧化铝多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧结步骤的升温速率为1～20℃/mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟博，罗子杰，黄珂，黄学良，张荦，李博，
申请(专利权)人：湖北芯陶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：