【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种真空压力系统、参数辨识方法及参数辨识的建模方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，反应腔室内部的压力控制至关重要，然而，传统的化学气相沉积（cvd）设备在使用控压蝶阀进行压力控制时，往往难以直接获取关键的系统参数，如腔体体积和进气流量。再加上不同工艺下，腔体内放置的晶圆占据的腔体体积不同，进气端的气体流量不同，使得精确控制腔体压力变得更加困难。
2、目前cvd设备的压力控制方法大都采用固定pid控制和参数自适应压力控制等方法，但是这些方法并没有利用到被控对象的实际参数，导致控制精度不足、响应速度慢、适应性差等问题，不仅影响了薄膜的质量和均匀性，还增加了能源消耗和设备磨损，降低了生产效率，并带来潜在的安全风险。
3、基于此，需要一种新的真空压力系统、参数辨识方法及参数辨识的建模方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种真空压力系统、参数辨识方法及参数辨识的建模方法，可以在无法获取反应腔体积和进气端流量的情况下，通...
【技术保护点】
1.一种真空压力系统参数辨识的建模方法，其特征在于，对腔室内的压力变化进行建模，所述真空压力系统参数辨识的建模方法包括：
2.根据权利要求1所述的真空压力系统参数辨识的建模方法，其特征在于，所述利用理想气体状态方程：，得到腔室内压力与时间的关系模型，包括：
3.一种真空压力系统的参数辨识方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的真空压力系统的参数辨识方法，其特征在于，在采集一段时间内腔室内压力随时间变化的数据之前，将蝶阀置于全关位置。
5.根据权利要求3所述的真空压力系统的参数辨识方法，其特征在于，所述通过优化算...
【技术特征摘要】
1.一种真空压力系统参数辨识的建模方法，其特征在于，对腔室内的压力变化进行建模，所述真空压力系统参数辨识的建模方法包括：
2.根据权利要求1所述的真空压力系统参数辨识的建模方法，其特征在于，所述利用理想气体状态方程：，得到腔室内压力与时间的关系模型，包括：
3.一种真空压力系统的参数辨识方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的真空压力系统的参数辨识方法，其特征在于，在采集一段时间内腔室内压力随时间变化的数据之前，将蝶阀置于全关位置。
5.根据权利要求3所述的真空压力系统的参数辨识方法，其特征在于，所述通过优化算法对采集到的所述数据进行拟合，辨识出所述模型中的腔体体积和进气端...
【专利技术属性】
技术研发人员：张利，陈新，
申请(专利权)人：星奇上海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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