【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业经历了快速增长。半导体制造工艺中的持续进步已经产生了具有更精细部件和/或更高集成度的半导体器件。功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而部件尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件)已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
2、芯片封装件不仅提供用于半导体器件免受环境污染影响的保护，而且提供用于封装在其中的半导体器件的连接接口。已经开发了占据较少间隔或高度上较低的较小封装结构以封装半导体器件。
3、已经开发了新的封装技术来进一步改进半导体管芯的密度和功能。这些相对新型的用于半导体管芯的封装技术面临着制造挑战。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种封装结构，包括：再分布结构；第一封装组件和第二封装组件，附接至所述再分布结构的第一侧；底部填充物，位于所述第一封装组件和所述第二封装组件的下部部分周围的所述再分布结构上方；以及模制层，形成在所述...
【技术保护点】
1.一种封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述模制层具有位于所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述上部部分之间的第一部分，所述底部填充物具有位于所述第一封装组件和所述第二封装组件的下部部分之间的第二部分，所述模制层的所述第一部分的厚度大于所述底部填充物的所述第二部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述模制层在所述伪管芯和所述第二封装组件之间延伸。
5.根据权利要求3所述的封装结构，还包括：
6.根据权利要求1所述的封装结构...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述模制层具有位于所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述上部部分之间的第一部分，所述底部填充物具有位于所述第一封装组件和所述第二封装组件的下部部分之间的第二部分，所述模制层的所述第一部分的厚度大于所述底部填充物的所述第二部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述模制层在所述伪管芯和所述第二封装组件之...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴懿轩，陈琮瑜，赖致廷，庄立朴，林信霆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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