【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。
技术介绍
1、半导体器件中接触结构的电性特性(如接触电阻和不同密度接触结构的电性差异等)是影响器件电性的重要参数。
2、相关技术中，在形成接触结构之后，在接触结构上形成导电层。导电层仅与接触结构的上表面接触，接触面积较小，导致接触结构的接触电阻较大，影响半导体器件的电性能。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种半导体器件的制作方法及半导体器件，能够降低接触结构的接触电阻，提高半导体器件的电性能。
2、第一方面，本申请提供了一种半导体器件的制作方法，包括：
3、提供基底以及位于所述基底上的介质层，所述基底包括导电结构；
4、形成贯穿所述介质层的接触结构，且所述接触结构的底部与所述导电结构连接；
5、采用惰性气体，对所述接触结构顶部周侧的膜层进行轰击，得到围绕所述接触结构顶部设置的凹槽；
6、在所述接触结构上...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述接触结构包括贯穿所述介质层的金属结构；
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述接触结构还包括黏连层，所述黏连层位于所述金属结构的周侧和底部；
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述对所述接触结构顶部周侧的膜层进行轰击之前，还包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气或氦气；和/或，
6.一种半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述接触结构包括贯穿所述介质层的金属结构；
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述接触结构还包括黏连层，所述黏连层位于所述金属结构的周侧和底部；
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述对所述接触结构顶部周侧的膜层进行轰击之前，还包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气或氦气；和/或，
【专利技术属性】
技术研发人员：宁红岩，
申请(专利权)人：无锡芯卓湖光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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