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本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：提供基底以及位于所述基底上的介质层，所述基底包括导电结构；形成贯穿所述介质层的接触结构，且所述接触结构的底部与所述导电结构连接；采用惰性气体，...
该专利属于无锡芯卓湖光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡芯卓湖光半导体有限公司授权不得商用。

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